Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 24 июня
 
 

Это интересно!

Новости

Россияне создали «первый в мире» телефон, не требующий АТС и серверов


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Недорогой тонкопленочный спинтронный датчик магнитного поля

Физики из Университета штата Юты создали недорогой прецизионный датчик магнитного поля на основе тонкой полупроводниковой органической пленки.

По дороге в Матрицу: Создан чип, работающий на спинномозговой жидкости человека

Крошечный топливный элемент позволяет осуществлять питание мозговых имплантантов за счет спинномозговой жидкости. Это избавляет от необходимости использовать внешний источник энергии.

Новые топливные ячейки: КПД выше 50%

Топливные ячейки — очень привлекательный источник электроэнергии и тепла для отдельного дома и даже квартиры. Однако их цена пока слишком высока и не соответствует эффективности.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

17 июня 2012

TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс

Texas Instruments сообщила о том, что интеграция технологии TSV (through-silicon-vias) в 28-нм КМОП-процесс практически не сказалась на состоянии транзисторов.

В

докладе инженеров TI, который в скором времени будет представлен на симпозиуме VLSI Technology and Circuits 2012 в Гонолулу, сообщается, что влияние сквозных отверстий в технологии вертикальных межсоединений на транзисторы, расположенные от отверстий на расстоянии 4 мкм, оказалось минимальным. В этом докладе также описывается применение метода нанолучевой дифракции для измерения напряжения в кристаллах вблизи переходных отверстий.

По словам Джеффа Брайтона (Jeff Brighton), директора отдела разработки технологий CMOS 3-D ИС, интеграция технологии сквозных отверстий в 28-нм процесс осуществляется вполне успешно и практически не оказывает влияния на транзисторы. Это серьезный шаг на пути к интеграции разных устройств в один объемный кристалл.

Объемные кристаллы, разные уровни которых соединяются между собой, разрабатываются уже многие годы. В настоящее время компания Intel приступила к производству 22-нм 3D-кристаллов, созданных по трехзатворной технологии.

Брайтон утверждает, что пока ему еще не удалось прочесть ни одного сообщения о реализации технологии сквозных межсоединений на современных проектных нормах. Брайтон не сообщил о том, когда начнется производство кристаллов с использованием технологии TSV, заявив, что большинство системных ошибок в обработке пластин и корпусировании уже выявлено. При этом перед инженерами стоит еще ряд задач по усовершенствованию технологий.

Авторами статьи «Practical Implications of Via-Middle Cu TSV-induced Stress in a 28nm CMOS Technology for Wide-IO Logic-Memory Interconnect» являются Jeff West, Youn Sung Choi и Catherine Vartuli, сотрудники TI.

Источник: EE Times

Читайте также:
3-D ИС, 14-нм процесс и дуализм 20-нм технологии: мнения ведущих экспертов
Наступает время 3D-кристаллов
Новый альянс по производству 3D-кристаллов
Аналитики вскрыли новейший процессор Ivy Bridge от Intel
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Темпы освоения новых топологических норм замедляются
Компания ASML выпускает EUV-оборудование для 16-нм техпроцесса
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты