 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
  Это интересно!Новости
РанееНедорогой тонкопленочный спинтронный датчик магнитного поляФизики из Университета штата Юты создали недорогой прецизионный датчик магнитного поля на основе тонкой полупроводниковой органической пленки. По дороге в Матрицу: Создан чип, работающий на спинномозговой жидкости человекаКрошечный топливный элемент позволяет осуществлять питание мозговых имплантантов за счет спинномозговой жидкости. Это избавляет от необходимости использовать внешний источник энергии. Новые топливные ячейки: КПД выше 50%Топливные ячейки — очень привлекательный источник электроэнергии и тепла для отдельного дома и даже квартиры. Однако их цена пока слишком высока и не соответствует эффективности. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
17 июня 2012 TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процессTexas Instruments сообщила о том, что интеграция технологии TSV (through-silicon-vias) в 28-нм КМОП-процесс практически не сказалась на состоянии транзисторов.В
докладе инженеров TI, который в скором времени будет представлен на симпозиуме VLSI Technology and Circuits 2012 в Гонолулу, сообщается, что влияние сквозных отверстий в технологии вертикальных межсоединений на транзисторы, расположенные от отверстий на расстоянии 4 мкм, оказалось минимальным. В этом докладе также описывается применение метода нанолучевой дифракции для измерения напряжения в кристаллах вблизи переходных отверстий.
По словам Джеффа Брайтона (Jeff Brighton), директора отдела разработки технологий CMOS 3-D ИС, интеграция технологии сквозных отверстий в 28-нм процесс осуществляется вполне успешно и практически не оказывает влияния на транзисторы. Это серьезный шаг на пути к интеграции разных устройств в один объемный кристалл.
Объемные кристаллы, разные уровни которых соединяются между собой, разрабатываются уже многие годы. В настоящее время компания Intel приступила к производству 22-нм 3D-кристаллов, созданных по трехзатворной технологии. Брайтон утверждает, что пока ему еще не удалось прочесть ни одного сообщения о реализации технологии сквозных межсоединений на современных проектных нормах. Брайтон не сообщил о том, когда начнется производство кристаллов с использованием технологии TSV, заявив, что большинство системных ошибок в обработке пластин и корпусировании уже выявлено. При этом перед инженерами стоит еще ряд задач по усовершенствованию технологий. Авторами статьи «Practical Implications of Via-Middle Cu TSV-induced Stress in a 28nm CMOS Technology for Wide-IO Logic-Memory Interconnect» являются Jeff West, Youn Sung Choi и Catherine Vartuli, сотрудники TI. Источник: EE Times Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателейHuawei начала производство 5-нанометровых процессоров [1] Ирландцы прижучили Apple, Samsung и LG Display после двух лет уговоров [1] Авторы закона о "суверенном Интернете" предлагают обязать идентифицировать всех пользователей e-mail [1] «Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
