Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 10 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс

Texas Instruments сообщила о том, что интеграция технологии TSV (through-silicon-vias) в 28-нм КМОП-процесс практически не сказалась на состоянии транзисторов.

Недорогой тонкопленочный спинтронный датчик магнитного поля

Физики из Университета штата Юты создали недорогой прецизионный датчик магнитного поля на основе тонкой полупроводниковой органической пленки.

По дороге в Матрицу: Создан чип, работающий на спинномозговой жидкости человека

Крошечный топливный элемент позволяет осуществлять питание мозговых имплантантов за счет спинномозговой жидкости. Это избавляет от необходимости использовать внешний источник энергии.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

18 июня 2012

Центр IMEC о перспективах метода gate-last HKMG

Научно-исследовательский центр наноэлектроники IMEC оценил возможности технологии RMG (replacement metal gate) для дальнейшего масштабирования транзисторов и перехода от ныне используемых структур HKMG.

И

нженеры IMEC посвятили ряд выступлений на эту тему на симпозиуме VLSI Technology Symposium, который прошел в Гонолулу с 12 по 15 июня. Среди партнеров IMEC, которые пользуются результатами научно-исследовательских программ по совершенствованию КМОП-технологии, такие компании как Globalfoundries, Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, SK Hynix, Fujitsu и Sony.

Хотя технология RMG («заменитель металлического затвора») и является более сложным методом под названием gate-last («затвор в последнюю очередь»), чем gate-first («затвор в первую очередь»), она обеспечивает более совершенные характеристики за счет широкого выбора материалов для изолятора с высокой диэлектрической проницаемостью и металлического затвора.

IMEC рассматривает RMG основным методом масштабирования электронных цепей на проектных нормах ниже 20 нм. Исследователи ищут возможность использовать преимущества технологии RMG в различных приложениях, при отборе материалов и проектировании, а также для создания условий совместимости с новейшими модулями и архитектурами устройств.

В методе RMG слой диэлектрика затвора с высокой проницаемостью (high-k) осаждается в начале технологического процесса или непосредственно до формирования электрода затвора, который, в свою очередь, создается после образования переходов.

Использование временного (впоследствии удаляемого) затвора позволяет лучше контролировать напряжение канала в устройствах меньшего размера. Кроме того, стадии техпроцесса RMG также характеризуются меньшими тепловыми нагрузками, что увеличивает выбор материалов для настройки рабочих параметров и улучшает возможность управления надежностью. К числу других преимуществ этой технологии относится меньшее, чем в методе gate-first, сопротивление затвора, что важно при построении ВЧ КМОП-схем, а также возможность повышения подвижности зарядов в канале.

Источники: Electronics Weekly, EE Times 

Читайте также:
IMEC раскрыла детали своего high-k / metal gate CMOS процесса
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов
IMEC и ARM: возможно ли сотрудничество?
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Количество заказов на 28-нм производство TSMC утроилось
Производительность завтрашних систем
Глава IMEC настаивает на запуске производства пластин 450 мм
Дискуссия о перспективах субмикронной литографии и 450-мм пластин
Перспективы техпроцесса на нормах ниже 10 нм по мнению IMEC

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты