Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 15 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Ветряки получат лопасти диаметром до 300 метров

Новые ветряки с лопастями длиной в сотни метров смогут обеспечивать электроэнергией целые города и при этом сократят глобальные вредные выбросы на 14% на 1 кВт*ч.

Нанотрубки стали основой нового типа солнечных батарей

Инженеры из Массачусетского технологического института создали новый тип фотоэлементов, в которых используются только углеродные нанотрубки и фуллерены.

Создана камера с рекордным разрешением 1000 Мпикс

В будущем камера с разрешением 1 Гпикс позволит следить за тысячами людей в общественных местах с возможностью различения лица каждого из них. На рынок подобные продукты могут поступить в продажу через 5 лет и будут недешевы.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

26 июня 2012

Память с фазовым переходом сменит флэш-память

Ученые из Кембриджского университета нашли способ уменьшить время записи информации в ячейку памяти PRAM до рекордных 500 пс. Предполагается, что эта технология придет на смену современным запоминающим устройствам, в т.ч. флэш-памяти.

П

ринцип действия памяти PRAM заключается в изменении состояния вещества с аморфного на кристаллическое и обратно путем температурного воздействия, осуществляемого с помощью электрического тока. Следует заметить, что время процесса кристаллизации PRAM, т.е. записи данных, до недавнего времени составляло 1–10 нс, что уступало по скорости работы флэш-памяти. При этом материалы, способные кристаллизоваться быстрее, в условиях пониженных температур достаточно быстро теряли требуемую молекулярную структуру, и целостность данных нарушалась.

По словам ученых, они решили эту проблему, используя слабое электрическое поле, приложенное к гибридному материалу из германия, сурьмы и теллурия. В результате процесс кристаллизации стал осуществляться в 10 раз быстрее, чем прежде. Для разрушения кристаллической структуры, т.е. удаления данных, ученые прикладывали напряжение величиной 6,5 В, после чего снова записывали и удаляли информацию. Вещество успешно выдержало около 10 тыс. циклов записи и удаления данных.

Разработкой фазовой памяти занимается несколько компаний. Так, например, в середине 2011 г. корпорация IBM заявила о том, что ей удалось создать фазовую память с многоуровневой структурой, записав в одну ячейку два бита данных (по аналогии с современной флэш-памятью).

Первые прототипы фазовой памяти создали инженеры из Intel и STMicro в 2007 г., а позже ее разработкой занялись компании Numonyx и Samsung. Фазовая память сочетает свойство энергонезависимой памяти хранить информацию при отключенном электропитании и скорость работы оперативной памяти DRAM и выше. Она может использоваться для хранения данных не только в персональных компьютерах, но и в смартфонах, игровых приставках и другой электронике.

Статья под названием «Breaking the Speed Limits of Phase-change Memory» («Увеличение скорости памяти с фазовым переходом») была опубликована в журнале Science.

Источник: Electronics News

Читайте также:
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Micron сообщает об очередном убыточном квартале
Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3
И снова — шумный спор о мемристорах
Sematech сотрудничает с начинающей компанией в создании RRAM

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты