Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 18 августа
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Создано дешевое устройство для управления компьютером при помощи глаз

Группа инженеров из Имперского колледжа в Лондоне создала оригинальное и очень недорогое — всего за 30 долл.— устройство, позволяющее управлять компьютером с помощью движения глаз.

Работники McDonalds сломали очки создателю прототипа Google Glasses

Сотрудники закусочной McDonalds в Париже сломали экспериментальные очки дополненной реальности, пытаясь снять их с головы инженера Стива Манна (Steve Mann).

20 млн долларов на квант: чего хочет DARPA?

Оборонное научное агентство DARPA опубликовало план исследований в области квантовых технологий на 2013 год. Среди планируемых достижений — существенный прорыв в области фотонной связи. Ученые собираются повысить плотность передачи данных на одном фотоне до 10 бит.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 июля 2012

Micron первой в мире начала производство «фазовой» памяти

Компания Micron Technology заявила о начале серийного выпуска первой в мире 45-нм памяти с фазовым переходом (PCM) для мобильных устройств.

Н

овые устройства памяти от Micron будут оснащены 1-Гбит PCM-памятью и 512-Мбит памятью LPDDR2 в многокристальном корпусе.

До сих пор плотность записи PCM-памяти не позволяла выпускать кристаллы, емкость которых превышала бы нескольких сотен Мбит. В результате область ее применения ограничивалась промышленной и автомобильной электроникой. В последние годы памяти с изменяемым фазовым состоянием прочат роль энергонезависимого кэша для твердотельных накопителей данных. Компания Micron нашла PCM-памяти другое назначение, объединив два типа памяти общим интерфейсом. PCM-память обеспечивает меньшее время загрузки, позволяет упростить разработку программного обеспечения и улучшить характеристики перезаписи. Кроме того, общий интерфейс между LPDDR2 и PCM полностью совместим с промышленными стандартами JEDEC.

Из заявления Micron следует, что 45-нм PCM-решение предназначено для использования в мобильных телефонах, а в дальнейшем – в смартфонах и мультимедийных планшетах. Micron также сообщила, что ее новые кристаллы прошли квалификационные тесты в подразделении Intel по разработке платформ для смартфонов. Micron рассчитывает, что эти комбинированные кристаллы выберут и другие игроки рынка. Таким образом, памяти NAND-типа грозит постепенное вытеснение с рынка.

Напомним, что запись в ячейку PCM-памяти похожа на запись перезаписываемого оптического диска, когда вещество носителя информации меняет свое состояние из аморфного в кристаллическое и обратно. По сравнению с флэш-памятью NAND память с изменяемым фазовым состоянием не требует операции стирания, что ускоряет ее работу вплоть до скоростей работы DRAM-памяти. Кроме того, PCM-память на порядок превосходит NAND по износоустойчивости, выдерживая до 1 млн циклов перезаписи.

Однако на пути реализации PCM-технологии существует ряд препятствий. Некоторые противники применения этого типа памяти считают, что она никогда не станет оптимальной по соотношению «цена-качество». Одним из ее недостатков является температурная чувствительность.

По словам Филиппа Берже (Philippe Berge), старшего руководителя отдела Wireless Solutions Group компании Micron, технология энергонезависимой памяти за последние 20 лет носила эволюционный характер, тогда как память с фазовым переходом – поистине революционная технология, и в ближайшее время эту разницу поймут все потребители.

В отдельном заявлении компании Micron сообщается о появлении на рынке твердотельных накопителей серии Crucial m4 mSATA емкостью 32–256 Гбайт по рекомендуемой розничной цене 53 долл. Скорость записи твердотельного диска Crucial m4 mSATA достигает 500 Мбайт/с. Эти устройства оснащены функциями кэширования Intel Smart Response и Dataplex от NVELO.

Источники: Micron, EE Times, DigiTimes

Читайте также:
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Intel и STMicroelectronics сознательно задержали выпуск «фазовой памяти»
Samsung и Numonyx разрабатывают спецификации памяти PCM
Micron сообщает об очередном убыточном квартале
Micron покупает долю Intel в производстве флэш-памяти
Мировой рынок флэш-памяти NAND сократился на 8,6%
Спрос на флэш-память NAND вырастет в 2012 г.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты