Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 20 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

ИК МЭМС-датчик дистанционно измеряет тепло человеческого тела

Компания Omron Electronic Components анонсировала бесконтактный термодатчик на основе МЭМС, который позволяет определять присутствие даже неподвижного человека.

Лазерные массивы теперь можно печатать принтером

Ученые из Кембриджского университета создали новый способ изготовления органических лазеров с помощью технологии струйной печати.

Электроника будущего: недорогая, «зеленая», прозрачная

Недавно появились новые сведения, сообщающие о том, что до практического внедрения мемристоров осталось совсем чуть-чуть. Ученые нашли новый материал для их изготовления — еще не использовавшийся в этой области, недорогой и при этом соответствующий альтернативам.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

28 сентября 2012

Алмазный теплоотвод для РЧ-кристаллов GaN-на-SiC

Компания TriQuint получила контракт на 2,7 млн долл. от агентства передовых оборонных исследовательских проектов (DARPA) на разработку технологии, позволяющей в три раза повысить мощность РЧ-цепей с использованием технологии GaN-на-SiC, в т.ч. за счет алмазных теплоотводов.

М

ногие полупроводниковые усилители мощности для военных приложений и другие мощные электронные и оптоэлектронные компоненты имеют ограничение по тепловому сопротивлению в зоне около 100 мкм от электронного перехода. Цель применения технологии NJTT (Near Junction Thermal Transport) состоит в троекратном повышении максимальной мощности GaN-усилителей за счет усовершенствованной теплорегуляции вблизи зоны перехода.

По словам представителей TriQuint, эта зона, а также подложка устройства отвечают за более чем 50% роста рабочей температуры.

Ожидается, что технология NJTT позволит существенно улучшить рабочие параметры СВЧ ИС, уменьшив их размеры, вес, энергопотребление, а также увеличив надежность и выходную мощность. При этом карбидо-кремниевые подложки являются лучшими проводниками тепла, чем подлложки GaN-на-сапфире, которые также находят широкое распространение.

TriQuint воспользуется комбинацией технологии GaN-на-SiC с алмазными рассеивателями, обеспечивающими охлаждение кристаллов.

Среди участников этой программы – Бристольский университет, компании Group4 Labs и Lockheed Martin. Сотрудники университета обеспечат помощь в таких вопросах как тепловое тестирование, моделирование и микротермография. Компания Group4 Labs является пионером в использовании алмазных подложек. Компания Lockheed Martin оценит результаты выполнения этой программы для разработки будущих военных приложений.

Источник: Electronics Weekly

Читайте также:
Стартап-компания начинает производство нитрид-галлиевых пластин
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
Силовые транзисторы на базе GaN: новая платформа для преобразователей напряжения
International Rectifier о GaN силовых приборах
Рынок реакторов MOCVD дла GaN LED достигнет дна в первой половине 2012 г.
Лампы Soraa, или новая глава в истории светодиодных технологий

Комментарии

7 / 7
1

18 марта, 13:40

Петр Иванов

Композиционный алмаз-медный композитный материал высокой теплопроводности

В настоящее время разработан метод получения алмаз-медных композитов высокой теплопроводности путем предварительного нанесения вольфрамового покрытия на частицы алмаза с последующей капиллярной инфильтрацией расплава меди без приложения давления.
Образцы алмаз-медных композитов высокой теплопроводности получены в виде цилиндров диаметром 5 мм, длиной 24 мм, а также в виде пластин размером 3*10*16 мм.
Теплопроводность алмаз-медных композитов в зависимости от толщины покрытия на алмазе (от 110 до 470 нм) составляет от 910 до 480 Вт/(м*К).

Следующим этапом является получение алмаз-медных композитов высокой теплопроводности на пилотной установке в виде пластин размером 2*50*50 мм и с последующим получением композита в виде пластины толщиной 1 - 2 мм, шириной 50 мм и заданного размера.

С уважением Иванов Петр Николаевич

25 апреля, 17:11

Сергей Соколов

re: Композиционный алмаз-медный композитный материал высокой теплопроводности

Укажите, пожалуйста, адрес и контакты поставщика такого материала.

37 апреля, 11:51

Рекламная информация в виде адресов и контактов в комментариях к новостям сайта недопустима.

414 апреля, 05:59

Иванов Сергей

To: Сергей Соколов

Кто-то где-то получил отличные результаты на перспективном материале. Неужели непонятно?=)))
Отличная новость!

58 февраля, 08:28

Юрий Детчуев

re: re: Композиционный алмаз-медный композитный материал высокой теплопроводности

Мы делаем алмазные теплоотводы, в виде пластин 60х60 (мм). Теплопроводность выше теплопроводности меди;
температурный коэффициент линейного расширения в 3-4 раза меньше, чем у меди.
С уважением, Юрий

Предупреждение от модератора: Юрий, размещение рекламной информации в комментариях к статьям запрещено!>

69 февраля, 08:20

Юрий Детчуев

re: re: re: Композиционный алмаз-медный композитный материал высокой теплопроводности

Как связаться с Соколовым Сергеем?

77 ноября, 13:03

Петр Иванов

re: Композиционный алмаз-медный композитный материал высокой теплопроводности

Изготовлена и введена в эксплуатацию опытная установка производительностью 10 кг/месяц по изготовлению порошков высокопрочных синтетических алмазов АС-100, АС-125, АС-160 с вольфрамовым металлокарбидным покрытием (W-W2C-WC) для производства:
- композитного инструмента на металлической связке для механообработки различных материалов, а также бурового инструмента;
- теплопроводящих элементов (пластин, цилиндров) теплопроводностью до 600 Вт/м*К

7 / 7
1

Прокомментировать







 
 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2017 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты