Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 7 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Ученые создали «растворимую» электронику, пригодную для имплантации

Американские биоинженеры научились изготавливать «растворимые» электронные имплантаты, которые можно уничтожить прямо внутри организма, не прибегая к хирургическим операциям, и опубликовали инструкции по сборке таких приборов в статье в журнале Science.

Будущее по-американски: Землю заселят киборги

Специалисты ВВС США представили свой взгляд на завтрашний мир. Как и положено военным, они видят мир опасным непредсказуемым местом, но при этом не могут сказать об этих опасностях ничего определенного.

Радиотелескоп ALMA перепишет всю астрохимию

C помощью новейшего радиотелескопа ALMА ученые открывают совершенно новую эру расшифровки химии Вселенной.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

1 октября 2012

ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики

Возможность встраивать резистивную память RAM (ReRAM) в стандартную технологию изготовления логики может использоваться в проектировании будущих систем-на-кристалле. Понимая это, TSMC пытается освоить перспективную технологию.

О

дин из наиболее интригующих докладов из того списка выступлений, которые состоятся в декабре в рамках программы мероприятия International Electron Devices Meeting – 2012, представлен коллективом исследователей из Национального университета Цинхуа (Тайвань), являющегося филиалом TSMC.

В аннотации доклада утверждается возможность создания контактных ячеек памяти типа RRAM (CRRAM) с использованием 28-нм логического КМОП-процесса HKMG без помощи масок или дополнительных технологических операций.
Известно, что коллектив исследователей из этого университета прежде работал с памятью ReRAM на основе оксида титана (TiN/TiON/SiO2), нанесенного на вольфрамовый контакт стока планарного MOSFET-ключа.

Разрабатываемое устройство намного миниатюрнее по сравнению с другими типами массивов ReRAM и совместимо со стандартными процессами производства логики. В 2010 г. этой группе исследователей удалось реализовать процесс 1T-plus-1R ReRAM, создав 90-нм КМОП-логику, которая обеспечивает 1 млн операций чтения/записи.  

В силу увеличения объема памяти системных кристаллов их энергопотребление растет. Способность удерживать данные в энергонезависимой памяти с высокой плотностью на СнК, а не в SRAM с большим энергопотреблением в течение даже нескольких тактов процессора может существенно повысить энергоэффективность систем.

Поскольку память CRRAM не повышает нагрузку на процессор, она допускает достаточно простую реализацию в производстве полупроводников. Однако то обстоятельство, что доклад на данную тему носит академический характер и описывает задачу на уровне ячеек памяти, а не массива, говорит о том, что разработка этих запоминающих устройств еще далека от завершения.

Источник: EE Times

Читайте также:
IBM и ST возвращаются к логике на реле взамен транзисторной
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Micron сообщает об очередном убыточном квартале
Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3
И снова — шумный спор о мемристорах
Sematech сотрудничает с начинающей компанией в создании RRAM

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты