Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 22 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Ученые создали «растворимую» электронику, пригодную для имплантации

Американские биоинженеры научились изготавливать «растворимые» электронные имплантаты, которые можно уничтожить прямо внутри организма, не прибегая к хирургическим операциям, и опубликовали инструкции по сборке таких приборов в статье в журнале Science.

Будущее по-американски: Землю заселят киборги

Специалисты ВВС США представили свой взгляд на завтрашний мир. Как и положено военным, они видят мир опасным непредсказуемым местом, но при этом не могут сказать об этих опасностях ничего определенного.

Радиотелескоп ALMA перепишет всю астрохимию

C помощью новейшего радиотелескопа ALMА ученые открывают совершенно новую эру расшифровки химии Вселенной.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

1 октября 2012

ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики

Возможность встраивать резистивную память RAM (ReRAM) в стандартную технологию изготовления логики может использоваться в проектировании будущих систем-на-кристалле. Понимая это, TSMC пытается освоить перспективную технологию.

О

дин из наиболее интригующих докладов из того списка выступлений, которые состоятся в декабре в рамках программы мероприятия International Electron Devices Meeting – 2012, представлен коллективом исследователей из Национального университета Цинхуа (Тайвань), являющегося филиалом TSMC.

В аннотации доклада утверждается возможность создания контактных ячеек памяти типа RRAM (CRRAM) с использованием 28-нм логического КМОП-процесса HKMG без помощи масок или дополнительных технологических операций.
Известно, что коллектив исследователей из этого университета прежде работал с памятью ReRAM на основе оксида титана (TiN/TiON/SiO2), нанесенного на вольфрамовый контакт стока планарного MOSFET-ключа.

Разрабатываемое устройство намного миниатюрнее по сравнению с другими типами массивов ReRAM и совместимо со стандартными процессами производства логики. В 2010 г. этой группе исследователей удалось реализовать процесс 1T-plus-1R ReRAM, создав 90-нм КМОП-логику, которая обеспечивает 1 млн операций чтения/записи.  

В силу увеличения объема памяти системных кристаллов их энергопотребление растет. Способность удерживать данные в энергонезависимой памяти с высокой плотностью на СнК, а не в SRAM с большим энергопотреблением в течение даже нескольких тактов процессора может существенно повысить энергоэффективность систем.

Поскольку память CRRAM не повышает нагрузку на процессор, она допускает достаточно простую реализацию в производстве полупроводников. Однако то обстоятельство, что доклад на данную тему носит академический характер и описывает задачу на уровне ячеек памяти, а не массива, говорит о том, что разработка этих запоминающих устройств еще далека от завершения.

Источник: EE Times

Читайте также:
IBM и ST возвращаются к логике на реле взамен транзисторной
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Micron сообщает об очередном убыточном квартале
Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3
И снова — шумный спор о мемристорах
Sematech сотрудничает с начинающей компанией в создании RRAM

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты