Если к 2015 г. или позже, когда TSMC начнет выпуск 10-нм изделий, EUV-литография не будет подготовлена для производства, возможно, потребуется использовать методы четырехкратного экспонирования с традиционной иммерсионной литографией.
Такое мнение высказал Джек Сан (Jack Sun), главный технолог TSMC, в кратком интервью после выступления на конференции ARM TechCon. По его мнению, использование четырех масок в 10-нм процессе, реализуемом с помощью установки пошагового мультиплицирования, – один из нескольких вариантов, которые изучает в настоящее время TSMC.
Некоторое время назад Intel заявила о том, что нашла экономичный способ производства 10-нм кристаллов с помощью четырехкратного экспонирования. Компания планирует приступить к производству полупроводников по этой норме всего через два года.
В своем выступлении Сан представил тот же стратегический план развития TSMC, что и на предыдущем мероприятии в этом месяце. Согласно этому плану, опытное производство 20-нм планарных кристаллов начнется в конце текущего года, а пробный выпуск 16-нм изделий по технологии FinFET – в следующем году.
 |
Джек Сан
Сан утверждает, что новый 20-нм FinFET-процесс обеспечит на 35% более высокую производительность и меньшее энергопотребление.
В настоящее время TSMC ищет способы освоения 10-нм процесса. По словам Сана, в ближайшие пять лет TSMC перейдет на новую проектную норму, которая на 5 нм меньше предыдущей. Однако для этого компании еще необходимо потрудиться.
TSMC получила опытные образцы ПЛИС и графических процессоров с помощью объемной компоновки кристаллов CoWoS (Chip on Wafer on Substrate), или 2,5D. В этой технологии на одну общую подложку устанавливается несколько соединенных между собой кристаллов.
Сан напомнил, что в июне этого года TSMC удалось изготовить TSV-отверстия (through silicon via – метод межслойных соединений) величиной в 50 мкм, что вполовину меньше размера предыдущих межсоединений.
Расходы TSMC и ее партнеров на проектирование кристаллов и поддержку производственной экосистемы составили 11,9 млрд долл. – это больше расходов любой другой компании.
 |
Источник: EE Times
Читайте также:
TSMC прогнозирует рост производства в течение ближайших 4 лет
TSMC планирует производство V8 ARM по 16-нм FinFET технологии
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
GSS предлагает Intel более совершенную технологию производства FinFET
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
ARM и TSMC «спелись» на почве FinFET-технологии
ARM выиграла битву процессоров? Едва ли!
UMC приобретает лицензию у IBM на технологию 20-нм FinFET
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Netronome использует 22-нм технологию Intel FinFET в своих Intel-совместимых процессорах