 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
Это интересно!Новости
РанееДля 10-нм чипов может потребоваться четырехкратное экспонированиеЕсли к 2015 г. или позже, когда TSMC начнет выпуск 10-нм изделий, EUV-литография не будет подготовлена для производства, возможно, потребуется использовать методы четырехкратного экспонирования с традиционной иммерсионной литографией. Архитектура x86 мертва. Да здравствует x86!Компания AMD обозначила рубеж на пути к новой эпохе, где почтенная микропроцессорная архитектура х86 уже не будет определяющей. Intel разрабатывает 48-ядерный процессор для смартфоновИсследователи Intel работают над созданием 48-ядерного процессора для смартфонов, сообщает Computerworld. Однако на рынок такой чип может выйти не раньше, чем через 5-10 лет. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
2 ноября 2012 Чипы памяти при нормах ниже 20 нм будут использовать нанотрубкиКристаллы, изготовленные по нормам ниже 20 нм, получат память на нанотрубках, над созданием которой трудятся бельгийская лаборатория IMEC и компания Nantero.С
отрудничество коллективов этих двух организаций направлено на создание запоминающих устройств на основе углеродных нанотрубок (carbon-nanotube, CNT), разрабатываемых специалистами компании Nantero, и массивов ОЗУ, произведенных, протестированных и специфицированных с помощью оборудования IMEC.
По мнению Люка вана дена Хоува (Luc Van den hove), главного исполнительного директора IMEC, энергонезависимая память на углеродных нанотрубках имеет множество таких характеристик, которые будут востребованы в масштабируемых запоминающих устройствах следующего поколения. Согласно заявлению Nantero, компании удалось изготовить 4-Мбит массивы памяти по КМОП-технологии. Скорость записи этих устройств составляет 3 нс, срок службы неограничен. Эти ИС показали свою работоспособность в течение 1 трлн циклов при малом потреблении и высокой температуре эксплуатации. По словам Джо де Бёка (Jo de Boeck) главного инженера IMEC, компания Nantero и лаборатория IMEC разработают и выпустят память для будущих применений, в которых требуется терабитное масштабирование массивов запоминающих устройств и гигабитное масштабирование энергонезависимой и очень быстрой кэш-памяти. Возможно, этот вид памяти станет вполне вероятной альтернативой памяти DRAM, которая испытывает ограничения при масштабировании ниже 18 нм. Источник: Electronics Weekly Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателей«Тесла Групп» возрождает бренды Rover Computers [1] Гигантский космический рекламный дисплей от сколковского стартапа угрожает мировой науке [1] Российская робототехническая отрасль в 500 раз меньше мировой, но не унывает [1] Mail.ru готовит «убийцу "Алисы"» в «лице» голосового помощника «Маруси» с умной колонкой [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
