Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 24 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Столетняя проблема прерывания высоковольтных цепей получила революционное решение

ABB решила электротехническую задачу прерывания постоянного тока, которой уже сто лет. Компания создала первый в мире прерыватель цепи постоянного тока высокого напряжения (HVDC).

Ученые превратили в дисплей обычную бумагу

Японская технология позволяет работать с цифровым изображением на обычной бумаге, стирая и дополняя рисунок, созданный пользователем маркером от руки.

Физики создали прототип цветной электронной бумаги для планшетов

По словам физиков, их изобретение способно полностью обновить картинку за 15 миллисекунд, а не 250 миллисекунд, как это делают существующие модели электронной бумаги.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

12 ноября 2012

IBM, ARM и Cadence передали в производство первый 14-нм процессор

Компания Cadence заявила о передаче в производство 14-нм опытного образца кристалла с процессором ARM Cortex-M0, реализованным с помощью технологии FinFET от IBM.

Э

тот кристалл был создан в результате сотрудничества между ARM, Cadence и IBM, разрабатывающими 14-нм систему-на-кристалле. С его помощью будут опробованы IP-блоки для проектирования на новой норме. Помимо ARM-процессора в состав этой системы-на-кристалле входят блоки памяти SRAM и другие элементы, необходимые для разработки блоков ARM Artisan Physical IP.

По словам Дипеша Пэйтела (Dipesh Patel), вице-президента и главного руководителя отдела Physical IP компании ARM, при освоении меньшей топологической нормы возникают новые задачи, решение которых требует тесного сотрудничества между лидерами экосистемы в области разработки СнК. На 14 нм эти задачи связаны, главным образом, с реализацией технологии FinFET, а усилия ARM совместно с компаниями Cadence и IBM сосредоточены на поиске ответа, как сделать FinFET-процесс экономически эффективным.

Проекты по реализации FinFET-технологии требуют самой серьезной поддержки со стороны фаундри-компаний, поставщиков IP-ядер и САПР, чтобы решить сложные проблемы.

Процессоры ARM Cortex-M0 строятся с использованием технологии «кремний-на-изоляторе» (КнИ) от IBM. Для создания кристалла на основе объемных FinFET-транзисторов используется 14-нм метод двойного экспонирования и методология поддержки FinFET.

По словам Гари Паттона (Gary Patton), вице-президента научно-исследовательского центра IBM (Semiconductor Research and Development Center), передача в производство 14-нм опытного образца свидетельством того значительного прогресса, который был достигнут при реализации FinFET-технологии на КнИ.

Источник: Electronics Weekly

Читайте также:
Пять нестыковок в докладе вице-президента IBM
Конференция ARM TechCon о перспективах производства 14-нм ИС
Полупроводниковый бизнес IBM достанется GlobalFoundries?
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
Intel понижает прогноз по IV кв. и начинает осваивать 14-нм процесс
3-D ИС, 14-нм процесс и дуализм 20-нм технологии: мнения ведущих экспертов

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты