Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 19 июля
 
 


Это интересно!

Новости

Россиян перестанут сажать за GPS-трекеры и якобы шпионские фотокамеры


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Биметаллические провода — шаг в наноэлектронику

Команда физиков из Университета Макгилла в сотрудничестве с исследователями из General Motors продемонстрировала неожиданный эффект: сила электрического тока в микроцепях может быть значительно уменьшена, если провода состоят из двух разнородных металлов. Данное открытие позволяет решить главную проблему наноэлектроники.

IBM, ARM и Cadence передали в производство первый 14-нм процессор

Компания Cadence заявила о передаче в производство 14-нм опытного образца кристалла с процессором ARM Cortex-M0, реализованным с помощью технологии FinFET от IBM.

Столетняя проблема прерывания высоковольтных цепей получила революционное решение

ABB решила электротехническую задачу прерывания постоянного тока, которой уже сто лет. Компания создала первый в мире прерыватель цепи постоянного тока высокого напряжения (HVDC).

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

13 ноября 2012

Первая логическая схема на основе двумерного материала

Используя плёнки дисульфида молибдена толщиной в два молекулярных слоя, учёным из Массачусетского технологического института (США) удалось построить логические схемы, являющиеся сердцем любого современного гаджета. Полученные устройства можно смело считать первыми элементами интегральных схем, созданными на основе двумерных материалов, призванных стать основой светлого будущего гибкой электроники.

П

оскольку такие двумерные материалы, как графен, обладают более высокой проводимостью и прочностью, чем традиционный кремний, учёные видят в них реальную надежду на создание по-настоящему гибких гаджетов (к примеру, встраиваемой в одежду электроники), не ограниченных частично сгибающимися участками.

К сожалению, несмотря на эффект стадного чувства в погоне за популярной игрушкой, материаловедам так и не удалось найти разумный способ создания запрещённой зоны внутри проводящего графена, что делает этот материал непригодным для создания транзисторов.

Поэтому некоторые здравомыслящие исследователи уже успели обратиться к такому интересному полупроводнику, как дисульфид молибдена MoS2. Однако до сих пор отдельные энтузиасты могли создавать лишь по одному транзистору за раз (см., например, здесь) на отдельных чешуйках MoS2. В результате для связывания транзисторов в схему приходилось использовать внешние провода, возвращаясь таким образом на 40–50 лет назад.

И вот теперь в МТИ сделан следующий шаг: удалось создать целую интегральную схему на единой подложке из полупроводникового материала, как это имеет место при производстве кремниевых микросхем.

Структура и схема нового транзстора (иллюстрация ACS).

Вначале учёные отделили бимолекулярные плёнки MoS2 от кристалла молибденита, где каждый молекулярный слой состоит из слоя атомов молибдена, зажатых между атомными слоями серы. После трансфера плёнок на кремниевую подложку пришла очередь нанесения электродов из титана и золота прямо на поверхность MoS2, для чего была использована электронно-лучевая литография. Затем, чтобы предотвратить нежелательные замыкания и изолировать электроды друг от друга, сверху методом атомно-слоевого осаждения был положен слой диэлектрического материала (оксида гафния).

Наконец, венцом производственного процесса стало нанесение второго набора палладиевых или алюминиевых электродов (выбор конкретного материала диктовался природой транзистора: находится ли он обычно в состоянии «включено» — или «выключено»). Конечно, такой «венец» немного смазывает общее впечатление, поэтому сейчас авторы заняты поиском материала электрода с подходящими электронными свойствами, который позволил бы изготавливать транзисторы обоих типов.

Тем не менее, используя описанный производственный процесс, учёные смогли построить четыре типа логических элементов, каждый из которых содержал от 2 до 12 транзисторов. И одним из них стал NAND-вентиль, который может применяться при создании любых других логических вентилей, то есть и любых интегральных схем.

Отчёт о проделанной работе и использованных методах опубликован в журнале Nano Letters.

Источник: Compulenta.ru

Читайте также:
Последние достижения в графеновой электронике
Полупроводники из графена
Графен в электронике: сегодня и завтра
Графеновые микросхемы толщиной в один атом углерода могут создаваться крупносерийно
Фотодетектор на графене с квантовыми точками
Химически модифицированный графен для новой электроники
Великобритания вложит 120 млн долл. в исследования графена
Графеновую подложку научились выращивать в промышленных масштабах
Найден способ управления свойствами графена
Графеновый транзистор разогнали до 26 ГГц
Физики создали прозрачные модули памяти на основе графена
Графеновая пленка надежно защитит от коррозии
В лаборатории Новоселова обнаружили самозалечивание графена
Нанобарабаны из графена стали квантовыми точками
У графена появился соперник — графин
Графен можно выращивать дешево
Ученые создали первую в мире графеновую память
Графеновый транзистор разогнали до 26 ГГц
Исследователи создали моноокись графена для будущей электроники
Для лучшего охлаждения кристаллов придуман композит меди и графена

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты