Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 22 мая
 
 


Это интересно!

Новости

США официально признали Huawei угрозой нацбезопасности


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

В Великобритании налажено промышленное производство печатных гибких схем

Компания PragmatIC начала промышленное производство органических транзисторов на гибких подложках.

Гибкая электроника совершает прорыв

Ученые Пенсильванского университета продемонстрировали возможность нанесения наночастиц полупроводникового материала селенида кадмия на гибкий пластик, возможно, совершив прорыв в электронике, который может привести к развитию высоких технологий на гибких подложках.

ARM, Atom и мемристоры — будущее серверов, считают в HP Labs

В лаборатории компании HP заявляют, что новые вычислительные устройства на базе мемристоров станут альтернативой классическим процессорам, имея более высокую производительность.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

4 декабря 2012

Из графена все-таки можно будет создавать транзисторы

Графен, выращенный на волнистой поверхности, обладает полупроводниковыми свойствами и может использоваться для создания транзисторов. Возможно, вскоре графен придет на смену кремнию, составляющему основу всех вычислительных систем.

Г

рафен представляет собой материал толщиной в один атомный слой, в котором атомы упакованы в шестиугольные решетки. Этот материал характеризуется не только тонкой и очень гибкой структурой, но и высокой подвижностью электронов, что позволяет использовать его в построении очень быстрых компьютеров.

Однако материал для транзисторов должны быть в состоянии переключать ток для создания логических цепей. Эта способность зависит от ширины запрещенной зоны материала, т.е. от того количества внешней энергии, за счет которой они участвуют в токе проводимости.

Запрещенные зоны полупроводников кремниевого типа позволяют создавать транзисторы с подходящими характеристиками. Ширина запрещенной зоны графена из-за естественной проводимости равна нулю, что делает его непригодным для этой цели.

Решение с использованием нанолент

Чтобы превратить графен в полупроводник, были предложены разные решения, в т.ч. такое, где между двумя слоями графена добавлялся изолирующий слой, позволяющий уменьшить проводимость графена. В другом решении слой графена помещался между очень тонкими лентами, благодаря чему изменялась его структура и легче переключался ток.

Однако в обоих случаях используются стандартные методы травления, которые накладывают ограничения на минимальную величину транзисторов из графена. Например, до сих пор создание лент шириной менее 10 нм приводит к возникновению настолько зазубренных краев, что ширина запрещенной зоны близка к нулю.

Профессор Эд Конрад (Ed Conrad) из Технологического института Джорджии (Georgia Institute of Technology) совместно с коллегами нашел очень простой способ создания намного более узких нанолент, не препятствующих реализации полупроводниковых свойств материала.

Эдвард Конрад, профессор Технологического института Джорджии

Этот способ заключается в выращивании графеновых пластин на волнистой поверхности, покрытой параллельными канавками глубиной 18 нм каждая. Коллектив исследователей обнаружил, что в тех местах, где поверхность пластины переходила в канавку, графен проявлял свойства полупроводника с шириной запрещенной зоны в 5 эВ, как и у нанолент. При этом ширина полупроводниковых полосок с ровными краями составляла всего 1,5 нм (см. рисунок).

Альтернатива кремнию?

По мнению Луи Брея (Luis Brey), ученого из мадридского Института материаловедения, наличие запрещенной зоны у графена позволяет его использовать в наноэлектронике. Однако причина появления этой зоны пока неясна, и требуется теоретическое обоснование, чтобы понять возникновение запрещенной зоны шириной 5 эВ.

Однако проделанная работа является большим шагом на пути к реализации многих приложений, включая создание высокопроизводительных электронных устройств. По мнению Конрада, время замены кремниевой электроники пока не пришло, но графен позволит расширить границы действия закона Мура.

Источник: Electronics Weekly

Читайте также:
Полупроводники из графена
Графеновую электронику запустят в серию?
Физики создали прозрачные модули памяти на основе графена
Графен в электронике: сегодня и завтра
Последние достижения в графеновой электронике
Химически модифицированный графен для новой электроники
Исследователи создали моноокись графена для будущей электроники
Великобритания вложит 120 млн долл. в исследования графена
Графен таки станет основой микроэлектроники будущего
В лаборатории Новоселова обнаружили самозалечивание графена
Графен можно выращивать дешево

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты