Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 6 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Apple признана в США виновной в нарушении трех патентов Nokia и Sony

Apple признали виновной в нарушении трех патентов компании MobileMedia Ideas, частично принадлежащей Nokia и Sony.

Устройство для управления iPhone и Android с помощью мысли в 2013 г. будут продавать за $199

Стартап Interaxon собрал $290 тыс. на производство обода Muse, который, по задумке изобретателей, позволит мысленно управлять мобильными и другими устройствами.

Американская разведка готовится к эре киборгов

По заявлению Национального совета по разведке США, искусственные конечности будут только началом союза человека и машин.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

18 декабря 2012

MeRAM: компьютерная память может быть холодной

Исследователи из школы инженерных и прикладных наук при Калифорнийском университете внесли значительные улучшения, существенно продвинув вперед ультра-быстрый класс компьютерной памяти с высокой пропускной способностью.

Э

тот тип называется магниторезистивной памятью с произвольным доступом или MRAM.

Свою новую разработку команда назвала MeRAM. Она имеет большой потенциал для использования почти во всех электронных устройствах - смартфонах, планшетах, компьютерах, микропроцессорах. Можно использовать ее и для хранения данных.

Ключевым преимуществом MeRAM по сравнению с другими технологиями является сочетание низкого энергопотребления, высокой скорости чтения и записи и энергонезависимость - способность сохранять данные при внезапном отключении питания.

В настоящее время магнитная память изготавливается на основе технологии с использованием спина электронов, а не только их зарядов. Эта технология (SST) использует электрический ток для записи данных в память. Она превосходит по многим характеристикам другие технологии, однако требует определенного - и немалого - количества энергии и, соответственно, вырабатывает тепло при записи. Кроме того, объемы такой памяти ограничены токами, необходимыми для записи информации на единицу площади.

В случае MeRAM ученые заменили ток, играющий ключевую роль в SST, напряжением. Это исключает необходимость передачи огромного количества электронов по проводам, а вместо этого использует разность электрических потенциалов для переключения магнитных битов и записи информации. В результате компьютер генерирует гораздо меньше тепла, что делает его до 1000 раз более энергоэффективным. И сама память может быть в 5 раз плотнее - в той же самой физической области хранится больше информации, что снижает стоимость передачи бита.

"Возможность переключения наноразмерных магнитов с использованием напряжения является важным и быстрорастущим направлением исследований в области магнетизма, - сказал ученый-электротехник Педрам Халили, руководитель проекта UCLA. - Эта работа - новый взгляд на такие вопросы, как управление переключением импульсов напряжения. А также на то, как устройства будут работать без необходимости внешнего магнитного поля и как интегрировать их в массивы памяти высокой плотности".

Читайте также:
Магниторезистивная память MRAM - быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
«Роснано» вкладывает средства в американского производителя памяти MRAM
Toshiba и Hynix сотрудничают в разработке MRAM
Freescale создала независимую компанию по разработке MRAM
Samsung приобретает Grandis – разработчика MRAM
Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM
Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis
Crocus Technology выбирает площадку для производства памяти MRAM
Crocus наладит серийное производство MRAM
«Универсальная память» все еще на старте

Источник: CNews

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты