Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 29 января
 
 

Это интересно!

Новости

Приглашение к участию в ежегоднике «Живая Электроника России» 2020


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Сибирские ученые создадут бионаночипы для тестирования на 100 инфекций

Новосибирские ученые разрабатывают бионаночипы для одновременного тестирования на более чем 100 инфекционных заболеваний, для анализа достаточно одной капли крови.

Создан трехмерный спиновый микрочип

Трехмерная микросхема в будущем обеспечит дополнительные емкость памяти и вычислительную мощность без необходимости уплотнять структуру чипа, как это делается сейчас.

Уникальный лазер создадут в «Сколково» для космической электроники

Уникальный 1-нм лазер позволит моделировать действие космического излучения на электронные компоненты космических аппаратов.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

8 февраля 2013

ARM оценивает технологию FDSOI как «хорошую технологию»

Уоррен Ист (Warren East), директор по лицензированию архитектуры процессоров ARM, заявил, что его компания готова помочь STMicroelectronics добиться успеха в производственном процессе микросхем FDSOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе), но при этом, ST должна открыть широкий доступ к своему техпроцессу.

В

интервью изданию EE Times во время дискуссии о финансовых результатах ARM в IV кв. и в целом за 2012 г., Уоррен Ист сказал про FDSOI: «Мы считаем, что это очень хорошая технология и мы поддержим ST в ее распространении. Функциональные блоки, которые нам необходимо создать, по сути те же (что и в монолитной КМОП-технологии)».

FDSOI технология появилась на 28-нм техпроцессе как потенциальная альтернатива монолитной (bulk) КМОП-технологии, которая была усовершенствована до нормы 20 нм такими производителями, как TSMC и Globalfoundries. Оба этих производителя предлагают быстрый переход на техпроцессы с FinFET-транзисторами с нормами 16 нм и 14 нм соответственно.

Некоторые эксперты доказывают, что 20-нм объемная планарная КМОП-технология не позволяет значительно снизить энергопотреление, в то время как остается сложной в производстве. FinFET технология, в которой элементы транзисторов формируются в пластинах, возвышающихся над поверхностью кремния, может оказаться еще более сложной и трудной для внедрения.

Однако для FDSOI технологии, разработанной STMicroelectronics, пока что не введено больших производственных мощностей. Производство может быть поставлено на поток не ранее IV кв. 2013 г. ST понимает, что Globalfoundries может лицензировать технологию и запустить массовое производство.

ARM работала со многими передовыми проектными и фаундри-компаниями, которые разрабатывают комплекты конструкторской документации, средства автоматизации проектирования и тестируют микросхемы, чтобы подтвердить качество обеих технологий – монолитной КМОП с 28- и 20-нм техпроцессами и FinFET-проектов компаний TSMC и Globalfoundries с техпроцессом менее 20 нм. Результаты аналогичной работы по технологии FDSOI не были разглашены.

FDSOI-транзистор с техпроцессом 20 нм значительно проще объемного КМОП транзистора. Источник: HotHardware

«Сегодня это фактически проприетарная технология. Мы можем помочь ST, если они смогут расширить использование технологии», – добавил Уоррен Ист.

Он отказался комментировать, насколько совместима с FDSOI собственная технология ARM «big.LITTLE» («большой-малый»), в которой ядро, оптимизированное по энергопотреблению, работает в паре с ядром с высокой производительностью – как часть системы динамического управления напряжением и частотой. FDSOI может уменьшить энергопотребление, но также и достичь высокой тактовой частоты с помощью расширенного диапазона рабочих напряжений.

«big.LITTLE – это один из методов достижения энергоэффективности. FDSOI – это другой метод. Имеется простор для множества других методов. Наши люди видели демонстрационные образцы. Нам не нужно модифицировать наши IP-блоки. Демонстрационные образцы ST, в любом случае, основываются на ARM», – подчеркнул Уоррен Ист.

Читайте также:
План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм
ST предоставляет университетам 28-нм процесс FD-SOI
Блестящие достижения ARM на рынке в 2012 г.
IBM, ARM и Cadence передали в производство первый 14-нм процессор
20-нм планарный техпроцесс не подходит для мобильных приложений
ARM-технология: опережать конкурентов

Источник: EE Times

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты