Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 20 февраля
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Поставщики кремниевой фотоники разошлись во мнениях по спецификации IEEE

Осталось два месяца, чтобы найти компромисс и утвердить стандарты для недорогих стогигабитных соединителей и коммутаторов кремниевой фотоники.

Apple запатентовала нательные датчики

Выданный Apple патент описывает прикрепляемое к телу или одежде миниатюрное устройство, которое может измерять целый ряд параметров и передавать их в компьютерную программу.

Великобритания вооружилась 16-граммовым вертолетом

Британский контингент в Афганистане получил на вооружение миниатюрные разведывательные беспилотники Black Hornet Nano (PD-100 PRS) производства компании Prox Dynamics.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

18 февраля 2013

IBM пессимистично смотрят на EUV-литографию

По оценкам IBM, литография жесткого ультрафиолета (EUV), скорее всего, не будет готова для 10-нм техпроцесса и, возможно, придется ждать 7 нм.

К

ак заявили представители IBM на заседании альянса Common Platform Alliance, состоявшемся на днях в Нью-Йорке, литография жесткого ультрафиолета (EUV), скорее всего, не будет готова для 10-нм техпроцесса и, возможно, придется ждать 7 нм.

По заявлению Гэри Паттона (Gary Patton), вице-президента IBM по НИОКР, пока рано обсуждать сроки готовности EUV-литографии для 10 нм, поскольку речь идет не о технических сложностях реализации процесса, а о проблемах преодоления законов физики.

Уже многие годы ведутся работы  по получению требуемой мощности лазерного источника света. ASML удалось получить излучение мощностью до 40 Вт, но, по словам Паттона, для реализации процесса требуется не менее 250 Вт.

Установка ASML NXE3100 для EUV

В ASML заявили, что к середине 2014 г. компания будет готова представить установку с производительностью 70 пластин в час, но раньше ASML не сдерживала обещаний.

Intel, Samsung, TSMC

При этом генеральный директор ASML Эрик Морис (Eric Meurice) отметил, что компания продемонстрировала стабильные 40-Вт источники излучения против обещанных 105-Вт.

Компании Intel, Samsung и TSMC вложили около 5 млрд долл. в ASML , в том числе для разработок в области EUV.

В случае провала EUV-литографии, единственным выходом станет двукратное, трехкратное и даже четырехкратное экспонирование, что приведет к значительному удорожанию чипов.

Уменьшение технормы больше не приводит к увеличению производительности и/или снижению потребляемой мощности и, если при этом не будет уменьшаться стоимость, дальнейшее масштабирование процессов теряет всякий смысл.

Читайте также:
ASML остается лидером на рынке литографического оборудования
TSMC и Intel присоединились к со-инвестиционной программе ASML
Samsung инвестирует в ASML вслед за Intel и TSMC
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии
ASML и Cymer сообща создадут установку для EUV-литографии
Эксперты: иммерсионная фотолитография пока побеждает EUV-литографию
Как «спасти» закон Мура?
Intel видит техническую возможность производства 10-нм кристаллов
Создан источник излучения для EUV-литографии

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты