Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 7 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Физики создали прозрачный и растягивающийся литий-ионный аккумулятор

За последнее десятилетие инженеры разработали множество технологий, позволяющих производить прозрачные дисплеи и прочие компоненты цифровых устройств. Создание прозрачных и гибких источников питания является более сложной задачей.

Микрочипы в мозгу двух крыс объединили в компьютерную сеть

Американские нейрофизиологи впервые смогли объединить мозг двух крыс в «локальную сеть», узлы которой могут быть удалены друг от друга на расстояние в тысячи километров, и заставить их обмениваться информацией.

Будущий iPhone может научиться предугадывать желания

Компания Apple получила американский патент номер 8,385,039 под названием «Электронное устройство с автоматическим переключением режима». В нем описывается технология предугадывания потребностей владельца устройства.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

4 марта 2013

FDSOI-транзисторы удалось разогнать до 3 ГГц

STMicroelectronics продолжает энергично продвигать свой производственный процесс полностью обедненного кремния на изоляторе (FDSOI).

П

о последним данным, 28-нм версия технологии позволила создать «процессорный движок», способный работать на тактовой частоте свыше 3 ГГц.

ST не разъяснила в чем отличие «процессорного движка» (engines) от собственно процессора и какие пределы рабочих температур были допущены, чтобы достичь 3 ГГц.

Для сравнения, процессор приложений NovaThor L8580 с модулем LTE от ST-Ericsson показал, что может работать на тактовой частоте до 2,5 ГГц на пиковой производительности, а также способен работать на пониженном напряжении до 0,6 В для экономии энергии. Поэтому будет справедливо предположить, что ST хочет сообщить о том, что L8580 и подобные ему процессоры можно разогнать свыше 3 ГГц, если этого захотят разработчики.

Заявлено, что планарная FDSOI-технология, которая для ST пока остается менее интересной для продвижения, имеет преимущества над другими господствующими вариантами производственного процесса – такими как монолитная планарная КМОП и FinFET КМОП – в условиях компромисса между быстродействием, потребляемой мощностью и технологичностью.

Применение обратного смещения канала под оксидом-изолятором теоретически позволяет дополнительно повысить быстродействие, и технология кремний на изоляторе тоже позволяет производить микросхемы с меньшими рабочими напряжениями, чем в альтернативных технологиях, утверждают ее сторонники.

ST ранее заявляла, что ее 28-нм FDSOI технология может обеспечить на 30% большее быстродействие чем 28-нм монолитная КМОП при той же потребляемой мощности, либо наоборот, на 50% снизить динамическую потребляемую мощность при том же быстродействии. Это обещания могут возрасти по мере того, как компания наращивает быстродействие.

«Как мы и ожидали, FDSOI доказывает, что она быстрая, простая и холодная; мы полностью ожидали увидеть рабочую частоту 3 ГГц, подход к проектированию хорошо совместим с методами монолитной КМОП, и с преимуществами полностью обедненных каналов и обратным смещением низкая потребляемая мощность также соответствует нашим ожиданиям», – сказал в официальном сообщении Жан-Марк Чери (Jean-Marc Chery), главный технолог STMicroelectronics.

По заявлению ST, они пришли к выводу, что перевод библиотек и проектной документации физического уровня с 28-нм монолитной КМОП на 28-нм FDSOI-технологию будет простым. Процесс проектирования цифровых схем с помощью традиционных САПР был идентичным проектированию монолитной КМОП, заявили в компании.

ST представила технологию FDSOI на конгрессе Mobile World Congress, прошедшем на прошлой неделе в Барселоне.

Читайте также:
План внедрения FDSOI претерпел ключевые изменения: теперь сразу 14 нм
ST предоставляет университетам 28-нм процесс FD-SOI
ST-Ericsson дополнит реальность кристаллами NovaThor
ST и IBM попытаются сократить отставание от Intel
ARM оценивает технологию FDSOI как «хорошую технологию»

Источник: EE Times

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты