 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости
РанееСоздана установка для массового производства карбида кремнияНемецкая компания PVA TePla продемонстрировала оборудование по изготовлению карбид-кремниевых булей - монокристаллов, из которых нарезают пластины для полупроводникового производства. Из графена научились делать аккуратные контактыАмерикано-японская группа исследователей впервые получила аккуратные графеновые контакты. Графеновые фотодетекторы были интегрированы в кремниевую ИСВ Венском техническом университете графеновые фотодетекторы были интегрированы в кремниевую интегральную схему. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
6 ноября 2013 Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколенияToshiba начинает выпуск новых встраиваемых модулей флеш-памяти NAND, использующих 19-нанометровый техпроцесс второго поколения.К
орпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флеш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения. Этот модуль полностью совместим с последним стандартом eMMC и предназначен для применения в широком спектре цифровых потребительских продуктов, включая смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые видеокамеры. Серийное производство начнется с конца ноября. Продолжает расти спрос на ИС флэш-памяти NAND высокой плотности с поддержкой видео высокого разрешения и усовершенствованным хранилищем. Это особенно актуально там, где требуется встроенная память с функцией контроллера (eMMC), которая минимизирует требования к разработке и облегчает интеграцию памяти в продукцию. В разработанный компанией новый встраиваемый модуль памяти объемом 32 Гбайт интегрировано четыре созданных с использованием передовой 19-нм технологии Toshiba второго поколения ИС NAND объемом 64 Гбит (эквивалент 8 Гбайт) каждая и выделенный контроллер. Все это размещено в компактном корпусе размером 11,5 x 13 x 1,0 мм. Модуль совместим со стандартом JEDEC eMMC версии 5.0, опубликованным JEDEC в сентябре этого года, и обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400.
Toshiba предложит ИС NAND в виде линейки встраиваемых однокорпусных модулей флеш-памяти NAND объемом от 4 до 128 Гбайт. Все они будут интегрированы с контроллером, управляющим базовыми функциями использования NAND. Вслед за модулями объемом 16 и 32 Гбайт Toshiba выпустит также модули с объемами 4, 8, 64 и 128 Гбайт. Для выпускаемых продуктов заявлена скорость чтения до 270 Мбайт/с и скорость записи 50-90 Мбайт/с. Читайте также: Источник: Toshiba Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателейHuawei начала производство 5-нанометровых процессоров [1] Ирландцы прижучили Apple, Samsung и LG Display после двух лет уговоров [1] Авторы закона о "суверенном Интернете" предлагают обязать идентифицировать всех пользователей e-mail [1] «Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
