Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 10 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Создана установка для массового производства карбида кремния

Немецкая компания PVA TePla продемонстрировала оборудование по изготовлению карбид-кремниевых булей - монокристаллов, из которых нарезают пластины для полупроводникового производства.

Из графена научились делать аккуратные контакты

Американо-японская группа исследователей впервые получила аккуратные графеновые контакты.

Графеновые фотодетекторы были интегрированы в кремниевую ИС

В Венском техническом университете графеновые фотодетекторы были интегрированы в кремниевую интегральную схему.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

6 ноября 2013

Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения

Toshiba начинает выпуск новых встраиваемых модулей флеш-памяти NAND, использующих 19-нанометровый техпроцесс второго поколения.

К

орпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флеш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения. Этот модуль полностью совместим с последним стандартом eMMC и предназначен для применения в широком спектре цифровых потребительских продуктов, включая смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые видеокамеры. Серийное производство начнется с конца ноября.

Продолжает расти спрос на ИС флэш-памяти NAND высокой плотности с поддержкой видео высокого разрешения и усовершенствованным хранилищем. Это особенно актуально там, где требуется встроенная память с функцией контроллера (eMMC), которая минимизирует требования к разработке и облегчает интеграцию памяти в продукцию.

В разработанный компанией новый встраиваемый модуль памяти объемом 32 Гбайт интегрировано четыре созданных с использованием передовой 19-нм технологии Toshiba второго поколения ИС NAND объемом 64 Гбит (эквивалент 8 Гбайт) каждая и выделенный контроллер. Все это размещено в компактном корпусе размером 11,5 x 13 x 1,0 мм. Модуль совместим со стандартом JEDEC eMMC версии 5.0, опубликованным JEDEC в сентябре этого года, и обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400.

Toshiba предложит ИС NAND в виде линейки встраиваемых однокорпусных модулей флеш-памяти NAND объемом от 4 до 128 Гбайт. Все они будут интегрированы с контроллером, управляющим базовыми функциями использования NAND. Вслед за модулями объемом 16 и 32 Гбайт Toshiba выпустит также модули с объемами 4, 8, 64 и 128 Гбайт. Для выпускаемых продуктов заявлена скорость чтения до 270 Мбайт/с и скорость записи 50-90 Мбайт/с.

Читайте также:
Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм
Первая в отрасли флэш-память NAND по норме 20 нм
Производители NAND-флеш-памяти ускоряют переход на новый техпроцесс
IHS: NAND флеш-память переходит на 3-D и в 2015 г. займет более 30% всего рынка флеш-памяти
Toshiba на 30% сократит производство флэш-памяти
Toshiba строит новую фабрику для 3D флеш-памяти
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Парадокс в производстве флэш-памяти типа NAND

Источник: Toshiba

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты