Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 11 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

TSMC выпустит 300-мм пластины со стеклянным изолирующим слоем для полупроводниковых радиокомпонентов

Компания TSMC, крупнейший мировой производитель контрактных полупроводников, на форуме IEDM 2013 представила доклад о технологиях получения кремниевых пластин диаметром 300 мм с использованием изолирующего слоя из стекла.

В 2018 г. появятся SSD, выдерживающие до 100 млн циклов перезаписи

Университет Tsukuba совместно с разработчиками группы Low-power Electronics Association & Project (LEAP) на проходящем сейчас в США мероприятии IEDM 2013 представили новые материалы для производства памяти на основе изменения фазового состояния вещества.

Apple запатентовала «настоящий» изогнутый сенсорный дисплей

Компания Apple запатентовала технологию производства изогнутых сенсорных дисплеев. Выданный патентным ведомством США патент №8603574 «Изогнутые сенсорные панели» описывает процесс изготовления дисплеев без дефектов, которые вызываются деформацией подложки экрана.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 декабря 2013

TSMC до конца года начнет опытный выпуск полупроводников по 16-нм технологии

Компания TSMC сообщила о запуске ограниченного производства с использованием техпроцесса 20 нм и о намерении ещё до конца текущего года начать ограниченное производство с применением техпроцесса 16 нм.

Д

ля начала компания собирается выпускать прототипы и изучать их характеристики. Речь о массовом производстве чипов по технологиям 16 нм и 20 нм пока не идет. Предполагается, что в заметных количествах 20-нм полупроводники начнут выпускаться примерно в феврале-марте будущего года, а массовое производство с применением техпроцесса 16 нм будет запущено примерно через год после этого.

В TSMC полагают, что благодаря переходу от планарных транзисторов к FinFET-структурам, 16-нм техпроцесс позволит на 35% увеличить рабочие частоты транзисторов, либо снизить на 35% энергопотребление. Плотность размещения транзисторов будет удвоена. При этом стоит оговориться, что для выпуска новых полупроводников компания возьмет за основу технологию 20 нм. Реально технологии 16 нм будет соответствовать только затвор, поставленный на ребро (Fin-FET). Все остальное – толщина проводных соединений в каждом слое, размеры межслойных соединений, толщина изолирующих слоёв, а также размеры контактных площадок для создания внешних соединений – будет соответствовать техпроцессу 20 нм. Можно предположить, что при соблюдении таких условий компания TSMC действительно сможет наладить производство новых полупроводников в запланированные сроки.

Семислойные металлические соединения. Фото: Techon

Опытные чипы TSMC, созданные по технологии 16 нм, включают элементы архитектуры ARM Cortex-A57, а также массив ячеек SRAM-памяти. Компания показала, что может выпустить структуру из семи слоев с медными межслойными соединениями. В первом слое радиус соединений равен 32 нм. Под вертикальный затвор резервируется «пятно» диаметром 48 нм. При этом длины затворов могут быть 30, 34 и 50 нм. Формирование рисунка на кристалле предполагается при помощи проекции в два этапа. Технология производства аналогична gate-last (Intel), когда пластину с кристаллами сначала отжигают, а после вносят примеси.

В TSMC заявляют, что разброс характеристик транзисторов стал меньше на 24–36 %. При подаче питания 0,75 В токи утечки составляют 520–525 мкА/мкм. Опытный образец памяти SRAM обнаружил высокий уровень выхода, хотя транзисторы были размещены с двукратной плотностью. Компания TSMC уверяет в своей способности в ближайшее время перейти к выпуску 16-нм решений, хотя в ближайшей перспективе стоит вопрос 20-нм производства. По неподтвержденной информации у TSMC существует договоренность на выпуск процессоров A8 по технологии 20 нм для компании Apple. При этом производство 16-нм версий процессоров для планшетов и смартфонов Apple вновь обещает вернуться к компании Samsung. Если эта информация соответствует действительности, становится понятно стремление TSMC в ближайшее время перейти к техпроцессу, заявленному как 16 нм.

Читайте также:
TSMC прокладывает путь к 16-нм техпроцессу и стремится дальше
TSMC строит мощности для контактирования ИС
Гонка за 14-нм FinFET предполагает и перспективы, и риски
TSMC ожидает снижение доходов на 10,5% в четвертом квартале 2013 г.
Продажи TSMC в третьем квартале 2013 г. соответствуют планам
Китайские поставщики 28-нм кристаллов не станут размещать заказы у TSMC
Продажи тайваньских п/п-фаундри в августе: у TSMC - рост, у UMC - снижение

Источник: Techon

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты