Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 7 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Продажи Windows 8 идут на треть хуже по сравнению Windows 7

ОС Windows 8 продается на треть хуже, чем Windows 7. Данные о продажах двух операционных систем были раскрыты исполнительным вице-президентом Microsoft по маркетингу Тэми Реллер на конференции Goldman Sachs.

Intel разрабатывает внутрипроцессорную сеть для многоядерных процессоров

Процессоры, имеющие полтора десятка вычислительных ядер – сейчас уже не редкость. Вероятно, однажды количество ядер в процессорах увеличится до сотен. К этому времени возникнет проблема взаимодействия этих ядер между собой.

В Японии создан беспроводной датчик намокания на «пластиковой электронике»

Ученые из Токийского университета под руководством профессора Такао Сомейи (Takao Someya) создали беспроводной датчик намокания, сообщает New Straits Times. Устройство относится к так называемой пластиковой электронике – вместо традиционных кремниевых элементов в нем используются компоненты из полимеров.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

17 февраля 2014

Toshiba создала память XLL SRAM со сверхмалыми токами утечки

Toshiba заявила о создании памяти eXtremely Low Leakage (XLL) SRAM, обладающей сверхмалыми утечками, благодаря которой микроконтроллеры смогут быстро выходить из режима глубокого сна.

Д

ля очень многих электронных устройств, работающих от батарейного питания, малое энергопотребление считается критически важным. Это относится к носимой электронике, беспроводным датчикам и мониторам физической активности. Существует множество факторов, препятствующих снижению электропотребления, но по мере освоения все более тонких техпроцессов все более актуальным становится уменьшение тока утечки. Особенно важно уменьшение тока утечки при использовании памяти с произвольным доступом, которая хранит данные в режиме ожидания.

Большинство микроконтроллеров значительно снижают энергопотребление при переходе в режим глубокого сна (ток утечки может упасть до 1мкA). Но обычная память SRAM не может хранить данные при таком токе, поскольку ей необходим существенно больший ток в режиме ожидания. В результате, когда микроконтроллер выходит  из режима сна,  требуется повторная загрузка данных в ОЗУ, а это требует некоторого времени. В качестве альтернативного варианта можно было бы применять память FRAM, однако она медленнее, чем SRAM, а в активном режиме потребляет больше и, кроме того, удорожает производство.

В случае с применением XLL SRAM ток утечки ниже в 1000 раз, чем у обычной SRAM: для одного бита памяти, произведенной по нормам 65 нм, ток равен 27 фА. Это даже меньше, чем у памяти SRAM, производимой по более тонкой технологии. Новая память способна хранить информацию более 10 лет без подзарядки или замены батарейки. Время доступа у этой памяти - 7 нс.

Таких характеристик удалось достигнуть благодаря применению новых транзисторов, из которых построены ячейки памяти. Более подробно о своей разработке производитель рассказал на конференции ISSCC 2014, прошедшей недавно. Новую память компания Toshiba планирует использовать в своих устройствах уже в текущем году.

Читайте также:
Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения
Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм
Первая в отрасли флэш-память NAND по норме 20 нм
Производители NAND-флеш-памяти ускоряют переход на новый техпроцесс
IHS: NAND флеш-память переходит на 3-D и в 2015 г. займет более 30% всего рынка флеш-памяти
Toshiba на 30% сократит производство флэш-памяти
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
Crocus Technology выбирает площадку для производства памяти MRAM
Crocus наладит серийное производство MRAM
Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM
IMEC показала 22-нм память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии

Источник: Toshiba

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты