Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 11 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Mentor Graphics, Synopsys, ANSYS и Cadence Design Systems подготовили пакеты для создания проектов в рамках 14-нм техпроцесса Intel

Mentor Graphics, Synopsys, ANSYS и Cadence Design Systems готовы предоставить клиентам Intel библиотеки и программные инструменты для разработки чипов в расчете на 14-нм техпроцесс и FinFET транзисторы.

Samsung создала комплексную базу для разработки проектов на базе 14-нм FinFET

Из официального пресс-релиза Samsung стало известно, что компания готова в будущем предоставлять своим клиентам комплексные услуги по выпуску полупроводников с применением вертикальных FinFET транзисторов и 14-нм техпроцесса.

Canon и Toshiba будут использовать нанопечать для производства флеш-памяти 3D NAND

Японское издание Nikkei сообщает, что Canon и Toshiba приспособят нанопечатное оборудование для производства памяти 3D NAND на перестроенном предприятии Toshiba Fab 2.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

6 июня 2014

Ученые открыли новые свойства графена, позволяющие изменять его проводимость

Ученые из Великобритании, США, Китая, Южной Кореи, Японии и России, среди которых – нобелевские лауреаты Константин Новоселов и Андрей Гейм, открыли новые свойства графена, позволяющие изменять его проводимость.

И

сследователи научились менять свойства энергетической щели у графена. С этой целью авторы нанесли графен на слой «белого графита», т.е. нитрида бора с графитоподобной гексагональной аллотропной модификацией (узлы решетки в этом случае заключены в правильный многоугольник). Ученые обнаружили, что эта комбинация дает возможность посредством регулирования взаимных ориентаций направлений в кристаллических решетках изменять у графена ширину энергетической щели. Это объясняется тем, что подложка из нитрида бора приводит к деформации графеновой решетки, из-за чего меняются ее проводящие свойства.

Эффект бабочки Хофштадтера в кристаллической решетке. Иллюстрация: Columbia University, Phys.org

Как выяснили физики, при угле наклона менее 1° между направлениями решеток графена и нитрида бора структура решетки нитрида бора практически совпадает с графеновой. При этом между атомами углерода в самой графеновой решетке угол увеличился на 1,8°, что привело к появлению энергетической щели. В случае, если углы наклона между направлениями решеток графена и нитрида бора были более 1°, энергетическая щель не возникала.

Благодаря наложению двух кристаллический решеток ученые смогли в образованной гетероструктуре воспроизвести эффект муарового узора в виде бабочки Хофштадтера, то есть фрактальной структуры, которая была описана в 1976 г. будущим нобелевским лауреатом Дугласом Хофштадтером. Данная структура в двумерном кристалле воспроизводит зависимость значений уровней энергии электрона от величины магнитного поля.

Бабочка Хофштадтера (1976 г.); по вертикали – величина магнитного поля, по горизонтали – энергия уровней электрона. Иллюстрация: Douglas Hofstadter

Бабочка Хофштадтера, смоделированная на Matlab. Иллюстрация Mytomi, Wikipedia.org

Ученые в своей работе исследовали разнообразные комбинации подложек из нитрида бора и образцов графена, применяя сканирующие зондовые методы (туннельный и атомный силовой), а также рамановскую методику спектроскопии.

Энергетической щелью (запрещенной зоной) называется интервал энергий, в котором, согласно квантовомеханической теории движения электронов в твердом теле, в идеальном кристалле не могут существовать электроны. Эта щель отвечает интервалу между зоной проводимости в кристалле и валентной зоной. Ширина этой щели в графене равняется нулю, но за счет введения подложки из нитрида бора ученые смогли деформировать кристаллическую решетку графена, создав в результате ненулевую энергетическую щель, позволяющую изменять свойства проводимости графена, в том числе, отключая ее.

Ранее исследователи также изучали свойства графена на подложках из нитрида бора, но впервые авторы в своей работе смогли обнаружить зависимость этих свойств от угла взаимной ориентации направлений кристаллических решеток. Благодаря работе ученых-физиков открываются новые возможности в применении графена в электронной промышленности.

Читайте также:
Ученые создали нитевидный аккумулятор из графена и углеродных нанотрубок
Гибрид графена и нанотрубок идеален для суперконденсаторов
Создан 3D-графен, который может совершить суперконденсаторную революцию
Создан первый транзистор на альтернативе графена из фосфора
Из графена научились делать аккуратные контакты
Графен «победил» отсутствие запрещенной зоны с помощью небулевой логики
Графен научились складывать в многослойные п/п-гетероструктуры
Физики из Кореи превратили графен в полупроводник с помощью «мельницы»
Графен позволил в 100 раз ускорить оптические коммутаторы

Источник: Phys.org

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты