Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 14 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Телевизоры Samsung научились шпионить при помощи видеокамеры

Samsung Electronics выпустила приложение для своих «умных» телевизоров, которое может дистанционно сообщать владельцу о движении в помещении, в котором установлен Smart TV.

Toshiba создаст микрокомпьютеры со сверхмалым энергопотреблением к 2017 году

В компании Toshiba разработана новая транзисторная технология, которая позволит создавать микрокомпьютеры, отличающиеся сверхмалым энергопотреблением. Утверждается, что энергопотребление микрокомпьютеров можно будет сократить на 90% по сравнению с образцами, существующими сегодня. Для изготовления новых микросхем потребуется техпроцесс, схожий с существующим техпроцессом CMOS.

Apple представила «умные» часы Watch

Компания Apple представила собственные «умные» часы, которые были названы просто и без затей – Watch. Презентация состоялась в калифорнийском Купертино. Вместе с Watch были представлены и две новые модели iPhone.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

15 сентября 2014

Toshiba собирается освоить выпуск процессоров на «туннельных» транзисторах к 2017 году

На мероприятии SSDM 2014 компания Toshiba представила доклад, в котором рассказывается о разработке полевого транзистора, в котором используется управляемый эффект туннельного перехода электронов (т.н. туннельный полевой транзистор или TFET). Серийное производство чипов на TFET компания планирует начать до 2017 г., чтобы в 2017 г. приступить к выпуску микрокомпьютеров, отличающихся высочайшей энергоэффективностью.

В

первую очередь речь идет о носимой электронике, а также устройствах «Интернета вещей». Новые вычислительные элементы позволят представить решения, энергопотребление которых будет меньше на 90% по сравнению с традиционными. При этом Toshiba обещает в целом сохранить привычный CMOS-процесс, благодаря чему не потребуется существенная модернизация фабричного оборудования.

Туннельный эффект в переходах транзисторов в современной электронике возникает спонтанно и приводит к увеличению токов утечки. По мере уменьшения техпроцесса переходы и барьеры становятся тоньше, что может привести к лавинообразному росту утечек. Разработчики уже довольно давно пытаются взять этот эффект под полный контроль. Еще десять лет назад о прогрессе в создании TFET сообщала компания Infineon, что ставит сегодняшние достижения Toshiba под сомнение и заставляет задуматься о вероятных судебных исках со стороны немецкой компании. Infineon, как и Toshiba, в свое время заявляла о 100-кратном снижении токов отечки при использовании TFET. При этом для питания таких транзисторов достаточно напряжения питания 0,5 В, что также имеет свои преимущества.

Читайте также:
Toshiba создаст микрокомпьютеры со сверхмалым энергопотреблением к 2017 году
Углеродные нанотрубки станут основой новой электроники
Никелатовый синапс-транзистор создан в Гарварде
Созданы энергоэффективные туннельные полевые транзисторы
На пути к милливольтной электронике
IBM, Infineon, GlobalFoundries, EU исследуют энергоэффективность TFET-транзисторов

Источник: Nikkei

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты