Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 18 августа
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Найдена причина недолговечности литий-ионных батарей

Коллектив исследователей из США и Саудовской Аравии попытался найти причины недолговечности литий-ионных аккумуляторов. Результаты опытов были представлены, в т.ч. на сайте Массачусетского технологического института.

Toshiba представила семейство миниатюрных 15-нм чип-накопителей eMMC

Компания Toshiba, которая недавно заявила о намерении перейти на выпуск памяти ReRAM лишь в 2020 г., продолжает заниматься раскрытием потенциала освоения более тонких технорм при производстве флеш-памяти.

Samsung продемонстрировала 14-нм процессор в работе

Компания Samsung на мероприятии ARM TechCon 2014 продемонстрировала процессор, созданный по 14-нм технологии FinFET. Производитель показал новый процессор в работе: он осуществлял декодирование видеопотоков высокой четкости, после чего они выводились на экран мобильного устройства, а также телевизионный экран. Подробности о новой разработке пока что не сообщаются.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

9 октября 2014

TDK представила прототипы чипов памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит

На выставке Combined Exhibition of Advanced Technologies (CEATEC) 2014, проходящей в Японии в эти дни, компания TDK представила различные передовые разработки. В том числе были показаны прототипы чипов магниторезистивной памяти STT-MRAM с плотностью 8 Мбит.

S

TT-MRAM – это энергонезависимая память с произвольным доступом. В памяти такого типа применяется т.н. эффект передачи момента спина (STT – spin transfer torque). Среди достоинств STT-MRAM упоминается, в т.ч., высокое быстродействие.

В экспозиции участвовали 200-мм пластины, на которых были сформированы чипы памяти STT-MRAM. По сути, это был первый случай, когда производитель продемонстрировал широкой публике память MRAM и сообщил некоторые технические подробности. Коммерциализация разработки должна занять от трех до пяти лет.

Помимо перспективной памяти, TDK показала на CEATEC 2014 источники питания, магниты для электродвигателей, фильтры электромагнитных помех, изделия для передачи энергии беспроводным способом, а также компоненты систем магнитной записи данных.

Читайте также:
В России создан завод по выпуску памяти MRAM
Globalfoundries совместно с Imec работает над STT-MRAM
MeRAM: компьютерная память может быть холодной
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
Краткая история развития устройств памяти

Источники: Tech-On!, TDK

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты