Samsung первая приступила к производству флеш-памяти 3D V-NAND


Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли флеш-памяти типа NAND, имеющей вертикальную объемную компоновку (3D V-NAND), и способную хранить в одной ячейке три бита данных. Эта флеш-память предназначена для применения в твердотельных накопителях.

Новинка относится ко второму поколению памяти Samsung V-NAND. В ячейках V-NAND применяется технология CTF (Charge Trap Flash, память с ловушкой заряда). Массивы ячеек расположены в чипе слоями один поверх другого. В каждом таком чипе интегрировано вертикально 32 слоя ячеек. Плотность чипа составляет 128 Гбит.

Подобная структура позволяет значительно повысить эффективность производства: более чем вдвое в расчете на одну пластину по сравнению с традиционной планарной трехбитной памятью, производимой Samsung по технологии т.н. 10-нм класса.

Память V-NAND первого поколения (включающую 24 слоя) компания Samsung представила в августе прошлого года, а второго поколения (включающую 32 слоя) – в мае 2014 г.

Производство новой памяти будет способствовать дальнейшему продвижению SSD на рынке потребительских ПК, сообщают в компании.

Читайте также:
Начат выпуск трехбитовой вертикальной NAND-флеш памяти Samsung
Samsung выпустит память 3D V-NAND с трехбитовой ячейкой
Samsung начала выпуск 32-слойной флеш-памяти 3D V-NAND
В Китае запущен новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти NAND
В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC

Источник: Samsung Electronics

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *