Как известно, выпуском EUV-сканеров, на которые возлагаются большие надежды в освоении перспективных техпроцессов в производстве полупроводников, занимается компания ASML. Недавно производитель опубликовал отчет о работе в III кв. 2014 г. Помимо прочей информации компания сообщила о планах выпуска EUV-оборудования.
Сообщается, что в течение 2014 г. компания EUV поставила и поставит пять сканеров NXE:3300 (один экземпляр был поставлен в 2013 г. и один запланирован к поставкам в 2015 г.). Первоначально мощности источника EUV-излучения сканеров NXE:3300 достаточно для обработки 200 пластин диаметром 300 мм в течение 24 ч. Однако до конца года предусмотрена модернизация источника излучения в сканерах, которые уже были проданы. Увеличение мощности до уровня 80 Вт увеличит производительность до 500 полупроводниковых пластин в сутки. Стоит заметить, что порог коммерческого уровня производства – это 1,5 тыс. пластин в сутки, и этот порог планируется преодолеть в 2016 г. Два клиента компании ASML, один из которых – IBM, на практике смогли доказать надежность сканера NXE:3300, который функционировал в режиме обработки более 500 пластин в сутки.
 |
Новые EUV-сканеры компании ASML способны обрабатывать около 500 полупроводниковых пластин диаметром 300 мм в сутки
С середины 2015 г. будет начата поставка новых сканеров – NXE:3350. Этих устройств заказано уже 6 шт. Еще 3 сканера появятся после модернизации до уровня NXE:3350 уже установленных на предприятиях клиентов устройств NXE:3300. Сканеры NXE:3350, как уверяют в компании ASML, станут основой для выпуска 10-нм полупроводников в ближайшем будущем. Именно на их основе клиенты компании изучат новое оборудование и приступят к созданию соответствующей заводской инфраструктуры. Первая пробная линия для выпуска 10-нм продукции с применением EUV-проекции должна заработать в середине следующего года. Благодаря этому можно будет перейти к массовому производству 10-нм продукции в конце 2016 г. Еще раз обратим внимание, что в исполнении ASML речь идет о выпуске 10-нм полупроводников с применением 13-нм излучения, а не 193-нм излучения, на котором тот же техпроцесс собирается осваивать компания Intel.
Читайте также:
В ASML считают, что использование EUV-сканеров будет целесообразно применительно к техпроцессу 7 нм
В 4-м квартале чистая прибыль ASML выросла в 1,6 раз
ASML получила новые заказы на оборудование EUV и планирует расширять мощности
Intel планирует осваивать 7-нм техпроцесс без EUV-литографии
Intel не будет использовать EUV-сканеры для производства 10-нм процессоров
В начале осени Intel может показать 10-нм чипы SRAM
Intel видит техническую возможность производства 10-нм кристаллов
Для 10-нм чипов может потребоваться четырехкратное экспонирование
Intel: ситуация с технормой около 7 нм становится туманной
Источник: ASML