Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 22 мая
 
 


Это интересно!

Новости

США официально признали Huawei угрозой нацбезопасности


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Топовую 8-ядерную СнК LG Nuclun 2 будет выпускать TSMC по 16-нм техпроцессу

Как известно, LG разрабатывает SoC для мобильных устройств верхнего сегмента.

Уровень брака при производстве 3D NAND достигает 50%

Уровень брака при производстве планарной NAND-флэш намного меньше и лежит в стандартных пределах 5-10 %. Низкий выход по понятным причинам увеличивает себестоимость решений.

Человека превратили в гигантский тачпад для управления электроникой: видео

Исследователи из Германии разработали самоклеющуюся пленку для нанесения на кожу человека. С ее помощью он может управлять мобильными гаджетами.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

20 августа 2015

Intel и Micron представили на IDF-2015 новую память, которая в 1000 раз быстрее NAND

На конференции разработчиков Intel Developer Forum корпорация Intel показала прототип перспективного твердотелого накопителя на основе технологии 3D XPoint, которая теоретически позволяет достичь производительности в 1000 раз больше по сравнению с актуальной NAND.

У

стройства на основе новой памяти 3D XPoint разрабатывались совместно с компанией Micron и будут поставляться под брендом Optane (не путать с октановым числом) в 2016 году. В линейке ожидаются варианты как для датацентров, так и для ноутбуков, в форм-факторах M.2 и U.2, причем как с интерфейсом SATA, так и с DDR4. У компании Intel пока нет планов по лицензированию технологии каким-либо иным производителям, по их оценкам, мощностей Micron на данный момент хватит для обеспечения рынка.

 

Первый прототип Optane, показал производительность в IOPS в 5-7 раз быстрее одного из самых производительных решений сегодняшнего дня, Intel DC P3700. Интересная особенность состоит в том, что производительность при разных значениях очереди (8 и 1) отличалась не так сильно, как в случае с NAND. Это говорит о том, что задержки в 3D XPoint гораздо ниже, чем во Flash памяти, и фактически приближаются к DRAM. Особенно хорошо это будет ощущаться при операциях записи - дело в том, что в отличие от NAND, тут она производится не блоками, адресация кратна ширине шины, фактически как в DRAM.

 

Обновленная память Optane по замыслу Intel должна занять промежуточное состояние между DRAM и Flash памятью, значительно превосходя по производительности последнюю, однако, в несколько раз не дотягивая до первой. Браян Кржанич, делавший доклад, особо подчеркнул, что для того, чтобы полностью воспользоваться всеми преимуществами быстрой энергонезависимой памяти, понадобится сильно изменять архитектуру как самих компьютеров, так и операционных систем.

Хочется отдельно упомянуть то, что память 3D XPoint производится по технологии 20 нм, то есть, фактически самой передовой на данный момент. К сожалению, никаких других технических подробностей пока неизвестно, что же до стоимости хранилищ на базе технологии Optane, то по словам представителя компании "она тоже ожидается где-то между DDR4 и традиционным SSD". Диапазон для предположений получается широкий, ну, что же, будем надеяться, что цена все же будет ближе к SSD.

Источник: iXBT.com

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты