Исследователи из Университета Эйндховена (Eindhoven University of Technology, Нидерланды) предложили интересный метод записи в ячейку MRAM с помощью эффекта Холла и «кривой тока».
Память на основе магниторезистивной ячейки показывает хорошие скоростные и энергоэффективные характеристики, но с плотностью размещения элементов у неё всё не очень хорошо. Магнитные поля в соседних ячейках наводят взаимные помехи и не позволяют выпустить достаточно плотную память типа MRAM. Много лучше себя показала память MRAM с записью с помощью переноса информации спином электронов (STT-MRAM), но у неё также есть проблемы с масштабированием.
Исследователи из Университета Эйндховена (Eindhoven University of Technology, Нидерланды) предложили интересный метод записи в ячейку MRAM с помощью эффекта Холла и «кривой тока». В общем случае бит данных в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности тонкого слоя в ячейке. Для изменения знака намагниченности требуется приложить магнитное поле определённой силы, на что требуется расход мощности (и снижение энергоэффективности). Учёные для слоя намагниченности предложили бесполевую запись и специальный антиферромагнитный материал. Изменение намагниченности происходит после подачи на ячейку импульсного сигнала малой мощности.
Импульсный сигнал поляризует поток электронов и создаёт в ячейке что-то типа кривой тока. Тем самым проявляется эффект Холла, когда электроны с одинаковым спином отклоняются от электронов с противоположным моментом вращения. Кривая тока с потоком электронов с одинаковым спином меняет намагниченность и, следовательно, значение записанного в ячейку бита данных.