Samsung для выпуска чипов с технологическими нормами 7 нм намерена использовать литографическое оборудование EUV-диапазона с длиной волны 13,5 нм.
На прошлой неделе отделение компании Samsung по выпуску полупроводников провело домашнее мероприятие, на котором было рассказано о планах по развитию технологических процессов. Наиболее значимым сообщением стало то, что Samsung для выпуска чипов с технологическими нормами 7 нм намерена использовать литографическое оборудование EUV-диапазона с длиной волны 13,5 нм.
Безусловно, первое коммерческое EUV-оборудование не отличается высокой производительностью, поэтому EUV-сканеры будут задействованы для обработки только критически важных слоёв. В противном случае использование традиционных 193-нм сканеров привело бы к тройной проекции на слой, что увеличило бы стоимость производства. Одних только фотомасок потребовалось бы 90 штук на каждый чип. Компания Intel, отметим, категорически отметает использование EUV-сканеров для выпуска 7-нм чипов, хотя компания TSMC склоняется к тому же сценарию, что и Samsung.
По 10-нм техпроцессу. Это будет изменённый в масштабах 14-нм техпроцесс. По всей видимости, будет то же самое, как в случае перехода с 28 нм на 20 нм. Элементы на кристалле станут меньше, но металлические соединения останутся от предыдущего техпроцесса. Сразу вслед за «ранним» техпроцессом 10LPE (Low Power Early) компания начнёт внедрять техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной на 10 % производительностью транзисторов.
К сегодняшнему дню с использованием 14-нм техпроцессов компания Samsung выпустила свыше полумиллиона пластин с чипами. Заявленный уровень дефектов — 0,2 на кв. см, что считается хорошим показателем. До конца года в рамках техпроцесса 14LPC появится возможность выпускать чипы с радиочастотными компонентами (индуктивности и прочее).
Также компания продолжит развивать 28-нм техпроцесс. Чипам с нормами 28 нм добавят возможность нести встроенные радиочастотные цепи и энергонезависимую память. Аналогичным образом будет модернизировано производство на пластинах FD-SOI с обеднённой кремниевой подложкой, но произойдёт это позже — в 2017 или 2018 году.