Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 18 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Крупный производитель гаджетов OnePlus задумал "уделать" Samsung своим сверхдешевым Android-ТВ на «квантовых точках»

Рассекречены спецификации и стоимость OnePlus TV – первого телевизора компании OnePlus, известного производителя флагманских смартфонов. В нем компания собирается применить матрицу QLED. Такие панели в 2019 г. использует только Samsung, и решение OnePlus окажется значительно более доступным при схожих спецификациях.

Toshiba Memory представила микросхему 96-слойной флэш-памяти QLC NAND ёмкостью 2,66 Тбайт

Серийный выпуск должен начаться в 2019 году.

Imec и стартап Unisantis продемонстрировали самую плотную в индустрии 6-транзисторную ячейку SRAM

Стартап Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd, возглавляемый ветераном отрасли и одним из изобретателей NAND в составе команды Toshiba — Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), на форуме Imec Technology Forum (ITF 2018) продемонстрировал самую плотную в индустрию 6-транзисторную ячейку SRAM.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

7 октября 2019

Samsung Electronics первой в отрасли разработала 12-слойную технологию 3D-TSV

Новая разработка Samsung позволит создавать 24-гигабайтные микросхемы HBM2.

К

омпания Samsung Electronics сегодня сообщила о том, что первой в отрасли разработала 12-слойную технологию 3D-TSV. Речь о технологии упаковки микросхем памяти, которая позволяет разместить в одном стеке 12 микросхем DRAM.

В данном случае используется трёхмерная компоновка с более чем 60 000 отверстий TVS для передачи данных между слоями. При этом толщина упаковки осталась такой же, какой была для восьмислойных стеков памяти HBM2 — 720 мкм. Это позволит производителям увеличить объём памяти в своих продуктах без необходимости изменять конфигурации систем охлаждения, корпусов и прочего.

Новая технология, кроме прочего, позволит Samsung создавать 12-слойные модули HBM2 объёмом 24 ГБ против текущих восьмигигабайтных решений. В частности, это явно пригодится производителям профессиональных графических ускорителей. К сожалению, Samsung не уточняет, когда сможет наладить массовое производство подобных модулей памяти.

Источник: Samsung

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты