 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
  Это интересно!Новости
РанееIntel и Micron первыми перешагнули рубеж 40 нм в производстве флэш-памяти типа NAND MLCКомпании Intel и Micron Technology представили первую в отрасли флэш-память типа NAND, изготовленную по нормам 34 нм. Скорость флэш-винчестеров выросла в 2 разаКомпания Samsung анонсировала первый в своей линейке SSD-накопитель на 256 Гбит - вдвое большей емкости по сравнению с существующими продуктами Samsung. Новое устройство обладает рекордной на сегодняшний день скоростью работы: непрерывное чтение информации происходит со скоростью 200 Мбит/с, записи - 160 Мбит/с. Hynix и Micron от выпуска чипов переходят к выпуску карточек памятиПроизводители флэш-памяти типа NAND переходят от выпуска чипов к выпуску готовых продуктов, карточек памяти. Если верить отраслевым источникам, такой шаг решили сделать компании Hynix Semiconductor и Micron Technology. |
2 июня Первая фабрика по производству нанотрубок готова к выпуску продукцииУглеродные нанотрубки готовы к коммерциализации, утверждает первая foundry, предлагая тонкопленочные нанотрубки fabless компаниям.К
омпания Nantero Inc. (Woburn, Mass.) в сотрудничестве с SVTC Technologies (Austin, Texas) представила первые 8-дюймовые тонкопленочные нанотрубки для кремниевых мастерских. SVTC изготовила прототипы коммерческих схем памяти NRAM (nanotube-based random-access memory) на основе углеродных нанотрубок по технологии, разработанный Natero. Плотность NRAM в 20 раз превышает плотность самых современных флэш. Размер ячейки NRAM составляет 22 нм2 по сравнению с 100 нм2 для флэш памяти емкостью 16 Гбит. Современная литография позволяет создавать ячейки NRAM плотностью до 320 Гбит на чип. При использовании перспективных методов литографии возможно получение ячеек площадью до 5 нм2 Углеродные нанотрубки могут деформироваться и касаться электродов (замыкать цепь), что соответствует логической «1» или выпрямляться (разрывать цепь), что соответствует «0». Для создания на поверхности кристалла тонкой пленки из нанотрубок последние сначала сортируются и наносятся в монослой на кристалл. ==== NRAM – энергонезависимая память с возможностью перезаписи, один из наиболее вероятных претендентов на роль так называемой универсальной памяти, объединяющей в себе свойства современной оперативной и флэш-памяти. Согласно некоторым оценкам, потенциал рынка быстродействующей энергонезависимой памяти с произвольным доступом («универсальной памяти») оценивается в 75 и даже $100 млрд. Предполагается, что после своего появления такая память быстро вытеснит используемую сейчас оперативную память и флэш-память из компьютеров, сотовых телефонов, проигрывателей MP3, цифровых камер, КПК и других устройств.
Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателей«Тесла Групп» возрождает бренды Rover Computers [1] Гигантский космический рекламный дисплей от сколковского стартапа угрожает мировой науке [1] Российская робототехническая отрасль в 500 раз меньше мировой, но не унывает [1] Mail.ru готовит «убийцу "Алисы"» в «лице» голосового помощника «Маруси» с умной колонкой [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
