Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM

Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 мм2.

Intel начала поставки SSD для профессиональных систем

Корпорация Intel начала поставки своих наиболее производительных твердотельных жестких дисков (SSD), Intel X-25E Extreme SATA, предназначенных для серверов, рабочих станций и систем хранения данных. Эти SSD построены на базе технологии 50-нм одноуровневых ячеек (SLC) флэш памяти типа NAND.

Модули Qimonda DDR3 теперь совместимы с готовящейся к выпуску платформой Intel High-End Desktop

Компания Qimonda AG, ведущий поставщик продуктов памяти, сообщает о начале посавок небуферизированных модулей памяти DDR3 с двухрядным расположением выводов (UDIMM) объемом 1 Гбит и 2 Гбит на базе процессора Intel Core i7 и чипсета IntelX58 Express. Новые приборы позволяют значительно сократить потребление и снизить тепловыделение настольных компьютеров класса high-end нового поколения.

 

28 октября

Renesas не оставляет надежды разработать коммерческую MRAM

На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.

О

дно время технология MRAM была на виду. Однако сегодня интерес к этому виду памяти значительно ослаб, поскольку процесс коммерциализации MRAM недопустимо затянулся. И это не совсем понятно, вспоминая, что большинство участников рынка в свое время позиционировали MRAM как «универсальную память».

Не так давно от разработки MRAM отказалась Cypress Semiconductor. Продали свое совместное предприятие IBM и Infineon Technologies. В самостоятельную независимую компанию выделила подразделение MRAM Freescale Semiconductor, избавившись таким способом от этой технологии.

Несколько особняком стоит NEC, а также ряд начинающих компаний, которые не оставляют надежды вывести MRAM на рынок. Активно работает в этом направлении японская Renesas Technology. На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.

Renesas занимается проектом MRAM достаточно давно. В 2005 году компания подключила к разработке молодую американскую фирму Grandis из Калифорнии, автора «torque transfer» технологии записи. Полученная с ее помощью MRAM обладает высоким быстродействием, неограниченным числом циклов чтения/записи и энергонезависимостью, что делает ее одним из самых привлекательных кандидатов на перспективную память следующего поколения.

Renesas сообщила, что ей удалось разработать 130 нм MRAM с четырьмя слоями металлизации, с размерами ячейки 0.81 мкм2 и с нулевым потреблением тока в дежурном режиме. Однако выводить на рынок компания будет 90 нм MRAM с рабочей частотой от 100 до 150 МГц. По заявлению Катсухиро Тсукамото (Katsuhiro Tsukamoto), президента и главного управляющего Renesas, такую память компания планирует встраивать в микроконтроллеры.

Если результаты будут положительными, то в 2012 году Renesas рассчитывает представить 65 нм 200 МГц MRAM. Свою разработку фирма позиционирует как «универсальную память», одновременно обладающую достоинствами как энергонезависимой, так и RAM памяти. Это одна из трех технологий встраиваемой памяти, разрабатываемых Renesas для MCU, причем MRAM рассматривается как наиболее перспективная.

Для низковольтных MCU с малым потреблением компания предлагает встроенную NOR флэш на основе 130 нм технологии. В конце этого года Renesas обещает выпустить приборы с рабочим напряжением 1.8 В. Для быстрых MCU компания выпускает память на основе процесса MONOS (metal-oxide nitride oxide silicon). Сегодня имеются 90 нм приборы с рабочей частотой 100 МГц, с переходом на 65 нм технологию в 2012 году.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты