Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 12 декабря
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика

Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


Интервью, презентации

Ранее

16 Гбит NAND флэш память по 51 нм технологии

Samsung Electronics приступила к серийному выпуску 16 Гбит NAND флэш [[по 51 нм процессу]]

TSMC начинает выпуск встраиваемой флэш-памяти по нормам 0,13 мкм

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале промышленной эксплуатации техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти [[(embedded flash)]].

Hynix Semiconductor планирует использовать технологию Z-RAM в чипах динамической памяти

Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

 

22 августа

IBM и TDK объединяются для разработки MRAM

Две корпорации, IBM и TDK, договорились о совместных работах по коммерциализации магниторезистивной [[памяти MRAM]] и выводу ее на рынок

П

рограмма рассчитана на четыре года. Исследования будут проводится в четырех лабораториях, трех IBM и одной TDK - TJ Watson Research Center в Yorktown Heights, Almaden Research Center в Сан Хосе, Центре разработки ASIC в Burlington и TDK R&D центре в Milpitas.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0


 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты