Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 22 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Numonyx выпускает флэш-чипы емкостью 4 Гбайт

Компания Numonyx, совместное предприятие небезызвестных Intel и STMicroelectronics, официально сообщила о расширении модельного ряда интегральных микросхем флэш-памяти – теперь, помимо моделей емкостью 1, 2, 4, 8 и 16 Гбайт, компания может предложить клиентам и устройства емкостью 32 Гбайт. Увеличение вместительности полупроводниковых устройств сразу в два раза реализовано за счет использования более совершенного 41-нм технологического процесса.

Выпущена флэш-память с поддержкой 1 млн циклов перезаписи

Поставщик полупроводников Micron Technology при участии Sun Microsystems разработал технологию создания NAND-памяти с одноуровневой структурой ячеек с существенно увеличенным сроком службы, сообщает DigiTimes.

Toshiba разработала первый SSD емкостью 512 Гбайт

Компания Toshiba объявила о выпуске новой серии SSD-накопителей, включая первое на рынке твердотельное устройство хранения данных емкостью 512 Гбайт (THNS512GG8B). Помимо полутерабайтового накопителя, серия включает модели емкостью 64, 128 и 256 Гбайт в форм-факторе 1,8 и 2,5 дюйма (кроме наиболее емкого, форм-фактор которого – только 2,5 дюйма). Все они выполнены на базе многоуровневой структуры ячеек (Multi-Level Cell, MLC) и 43-нм техпроцесса.

 

19 декабря

Ученые создали первую в мире графеновую память

Исследователи из американского Университета Райс (Rice University) продемонстрировали новый тип экспериментально запоминающего устройства, состоящего всего из 10 атомов графена. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить емкость модулей памяти, кроме того данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200°C, сохраняя всю информацию.

П

о словам руководителя исследований профессора Джеймса Тура, первые образцы памяти на основе графена были получены еще полтора года назад, теперь специалисты говорят, что их разработки способны хранить записанные на них данные продолжительное время.

Во время лабораторных тестов группе профессора Тура удалось создать кремниевые модули, на которых были размещены 10 атомарных слоев графена, в итоге полученный графеновый слой получил толщину около 5 нанометров. Исследователи говорят, что в новых экспериментальных модулях базовые ячейки хранения информации примерно в 40 раз меньше ячеек, используемых в самых современных 20-нм модулях NAND-памяти.

По мнению профессора Тура, использовать каждый атом графена для гранения одного бита в ближайшие годы будет вряд ли возможно, а вот объединять несколько атомов этого вещества для хранения бита вполне реально. Но даже такой способ все равно будет означать качественный скачок в сравнении с существующими запоминающими устройствами.

Еще одно преимущество разработки заключается в беспрецедентной экономичности потребляемой энергии. Для хранения данных модули памяти используют два исходных состояния - нейтральное состояние (условно говоря выключенное) и заряженное состояние (условно говоря включенное). Для того, чтобы закодировать 1 бит информации в графеновых модулях требуется объем электроэнергии в миллион раз меньший, чем для кодирования того же бита в нынешних кремниевых чипах.

Исследователи говорят, что рабочая температура «графеновой памяти» составляет от -75 до 200°C.

Единственная проблема, которую физики пока не могут решить заключается в создании многослойных модулей памяти на базе графена, а также скорость доступа к данным, которая сейчас составляет около 100 нс, против 50 нс у SSD-накопителей и 10 нс у последних образцов модулей оперативной памяти компьютеров.

Работа «Electronic two-terminal bistable graphitic memories» опубликована в журнале Nature Materials (Yubao Li, Alexander Sinitskii & James M. Tour).

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2017 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты