Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Toshiba будет использовать в производстве 32-нм литографию с однократной экспозицией

По словам корпорации Toshiba, у нее готова рентабельная технологическая платформа для выпуска микросхем по технологии CMOS с соблюдением 32 нм норм. По сравнению с технологией, применяемой при изготовлении продукции с соблюдением норм 45 нм, она обеспечивает меньшую себестоимость, большую плотность размещения элементов и быстродействие схем.

Ученые создали первую в мире графеновую память

Исследователи из американского Университета Райс (Rice University) продемонстрировали новый тип экспериментально запоминающего устройства, состоящего всего из 10 атомов графена. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить емкость модулей памяти, кроме того данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200°C, сохраняя всю информацию.

Numonyx выпускает флэш-чипы емкостью 4 Гбайт

Компания Numonyx, совместное предприятие небезызвестных Intel и STMicroelectronics, официально сообщила о расширении модельного ряда интегральных микросхем флэш-памяти – теперь, помимо моделей емкостью 1, 2, 4, 8 и 16 Гбайт, компания может предложить клиентам и устройства емкостью 32 Гбайт. Увеличение вместительности полупроводниковых устройств сразу в два раза реализовано за счет использования более совершенного 41-нм технологического процесса.

 

24 декабря

«Универсальная память» все еще на старте

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Devices Meeting, IEDM), проходящей на этой неделе в Сан-Франциско, множество разработок было представлено в качестве кандидатов на «универсальную память» – то есть, устройств, позволяющих выполнять функции как оперативного, так и долговременного, энергонезависимого хранения. Все технологии, на которых базировались анонсы, не являются дебютантами, но их массовое практическое внедрение в ближайшем будущем по-прежнему под вопросом, а депрессивное состояние рынка, скорее всего, еще более отодвинет сроки их выхода на коммерческий уровень.

С

реди основных претендентов на звание «универсальной» – сегнетоэлектрическая память (Ferroelectric Random Access Memory, FRAM), магниторезистивная память (magnetoresistive random-access memory, MRAM), память с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), память на базе программируемой металлизации ячейки (programmable metallization cell, PMC) и резистивная память (resistive random-access memory, RRAM). Близость физического предела, достигнутая в традиционных электронных компонентах для хранения информации, заставляет производителей задумываться о переходе на альтернативные технологии. С другой стороны, общий спад вынудил компании замедлить или отложить освоение более «тонких» техпроцессов (22 нм и менее), соответственно, отложились и возможные сроки появления на рынке «универсальной» памяти.

Экономическая ситуация также вынуждает игроков тщательнее выбирать, в которую из множества технологий вкладывать средства, потому что развивать несколько направлений параллельно может оказаться просто не по карману. Цена выбора также растет – не угадавший будущего победителя технологического состязания потратит впустую немало совсем не лишних сейчас активов. Вместе с тем, оценивая представленные разновидности перспективных решений, специалисты не могут выделить явных фаворитов или аутсайдеров, и, более того, склонны рассматривать их скорее как нишевые продукты, чем действительно «универсальную память», являющуюся оптимальным выбором во всех возможных случаях.

PCM ближе всех подошла к коммерциализации, и могла бы начать конкурировать с NOR-флэш памятью к концу следующего года, но потребуется еще несколько лет, прежде чем она распространится действительно широко. Много внимания уделяется памяти на базе использования спиновых эффектов (spin-torque, STT MRAM), но у нее размер ячеек все еще достаточно велик. Поэтому MRAM рассматривается скорее как встраиваемая память, способная заменить собой внутреннюю динамическую и флэш-память на подложке. RRAM находится на ранних стадиях развития, и в перспективе позиционируется как потенциальная замена NAND-флэш памяти.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты