Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 19 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Компания Winbond запустила производство последовательной флэш-памяти емкостью 16Мбит и 32Мбит

Toshiba на пути к новой флэш памяти

Toshiba объявила об успешной разработке новой [[туннельной технологии]], которая в будущем позволит создавать флэш-память максимально большой емкости

Новый быстрый NAND флэш программатор от BPM

Компания BPM Microsystems поставила программатор NAND Flash Large Page производителю кристаллов [[STMicroelectronics]]

 

24 декабря

Micromem Technologies: MRAM готовы к серийному производству

К

анадская компания Micromem Technologies вместе с американской Strategic Solutions и кремниевой мастерской Global Communication Services (GCS) сообщили о завершении работ по созданию полностью функциональной, пригодной для серийного производства, памяти MRAM. Проводившаяся в течение трех лет НИОКР (R&D) перешла в свою заключительную стадию. В следующем месяце основное внимание разработчиков будет сосредоточено на отработке технологичности и масштабировании MRAM, которую планируется использовать в чувствительных магнитных сенсорах.

Micromem также сотрудничает с Strategic Solutions в разработке 64-разрядных ячеек MRAM. Образцы приборов будут переданы третьим фирмам для оценки и подтверждения правильности выбора стандартных протоколов тестирования памяти, включать потребление, скорость и ошибкоустойчивость. Полученные результаты будут использованы кремниевой мастерской для дальнейшей оптимизации архитектуры ячеек MRAM. Первые образцы 64-разрядных MRAM будут отправлены тестерам в ближайшие три–четыре месяца.

 

Оцените материал:

Источник: EETimes

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты