Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 21 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

FM1107 - однобитовая ячейка памяти FRAM с микропотреблением

В дополнение к двум микросхемам из уникального семейства FM110x, компания Ramtron предлагает [[ячейку FRAM]] FM1107, отличительной чертой которой является предельно малый ток потребления в статическом режиме – не более 0.5 мкА

Первые образцы 512 Мбит XDR DRAM от Qimonda

Компания Qimonda AG, ведущий производитель приборов памяти, сообщает о начале поставок 512 Мбит [[XDR™ DRAM]]

IEEE приняла два новых стандарта защиты данных

Институт инженеров по радиотехнике и электронике (IEEE) одобрил [[два новых стандарта]]

 

24 января

Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM

Samsung Electronics Со. Ltd. и Hynix Semiconductor Inc. будут сотрудничать в разработке устройств памяти следующее поколения, включать [[MRAM]], сообщает The Korea Times

Д

ве компании совместно инвестируют 9 млрд. вон ($9.5 млн.) в научно-исследовательскую программу (R&D), поддерживаемую государством? со сроком окончания в 2011 году. Общие ассигнования на проект составят 52.58 млрд. вон ($55.4 млн.).

Компании будут разрабатывать память MRAM STT типа (spin-torque-transfer), а также другие виды перспективной памяти.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты