Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Первые коммерческие 16 Гбит NAND флэш по технологии 3-Bit-Per-Cell

Компания SanDisk в своем пресс-релизе сообщает, что завершила разработку 3-битовой (3-Bit-Per-Cell, x3) [[NAND флэш памяти]] и намерена в марте-апреле 2008 года начать серийное производство первых коммерческих 16 Гбит приборов

Первые коммерческие образцы «фазовой памяти» от Intel и STMicroelectronics

Intel и STMicroelectronics направили первые образцы энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM), заказчикам для тестирования

Прорыв в области NAND флэш технологии

Intel и Micron разработали суперскоростной интерфейс для NAND флэш памяти, в пять раз превышающий по скорости современные приборы

 

12 февраля

Atmel переводит ИС флэш-памяти DataFlash емкостью 1 Мбит на 0.13 мкм технологию

Флэш память AT45DB011B (1 Мбит, семейство DataFlash), выпускаемая по 0.25 мкм CMOS технологии, [[переведена на технологию 0.13 мкм]], благодаря чему снижены размеры кристалла и увеличено быстродействие с 20 МГц до 66 МГц

С

нижение размеров кристалла поспособствовало улучшению возможностей ИС и появлению новых особенностей, таких как:

  • последовательный интерфейс RapidS™ (макс. тактовая частота 66 МГц);
  • SPI-совместимые режимы 0 и 3;
  • возможность считывания идентификационного кода производителя и микросхемы (по стандарту JEDEC);
  • 128-байтный однократно-программируемый регистр (64 байт программируемых пользователем + 64 байта запрограммированных производителем единообразным кодом);
  • программная и аппаратная защита секторов;
  • возможность раздельной защиты секторов;
  • возможность раздельной блокировки записи отдельных секторов (превращаются в ПЗУ);
  • однократно конфигурируемый размер страницы и буфера;
  • время TCSS (время установления сигнала /CS)снижено до 5 нс.

Кроме того, Atmel заменяет использующийся для лужения выводов 100-процентный оловянный припой на никель-палладиево-золотой (NiPdAu). Оба припоя являются RoHS-совместимыми.

Не нашедшие широкого применения исполнения в корпусах CBGA и TSSOP снимаются с производства. Для тех, кто использовал эти исполнения, Atmel рекомендует перейти на применение 8-выводных корпусов SOIC (ширина 150 мд) или DFN (5 х 6 мм). Для перехода с корпуса CBGA или TSSOP на SOIC или DFN потребуется модификация печатной платы.

Новые ИС доступны в следующих исполнениях: AT45DB011D-MH, AT45DB011D-SH, AT45DB011D-SSH с 22 января 2008 г. Снимаются с производства AT45DB011B-SU, AT45DB011B-SI, AT45DB011B-SC, AT45DB011B-SJ, AT45DB011B-CC, AT45DB011B-CI, AT45DB011B-XU, AT45DB011B-XI, AT45DB011B-XC. Их последняя дата продажи - 22 июня 2008 г., последняя дата отгрузки - 22 января 2009 г

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты