 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Доказано, что электроны туннелируют сквозь барьер мгновенно, а не за конечное время
Ранее
|
2 апреля Hynix будет использовать технологию STT-RAM от GrandisКомпании Hynix Semiconductor и Grandis заключили лицензионное соглашение по использованию объектов интеллектуальной собственности Grandis в микросхемах памяти Hynix. В частности, соглашение касается [[технологии STT-RAM]] (spin-transfer torque random access memory).Память на основе технологии STT-RAM – это энергонезависимая память нового поколения, которая по своим характеристикам значительно превосходит традиционные магниторезистивные ОЗУ (MRAM). Она сочетает в себе все преимущества SRAM и DRAM. Микросхемы STT-RAM более экономичны, долговечны и имеют высокое быстродействие. Еще одним преимуществом нового подхода является его применимость к интегральным схемам с проектными нормами менее 40 нм. Это позволит изготавливать дешевые схемы памяти с высокой степенью интеграции. Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателей«Тесла Групп» возрождает бренды Rover Computers [1] Гигантский космический рекламный дисплей от сколковского стартапа угрожает мировой науке [1] Российская робототехническая отрасль в 500 раз меньше мировой, но не унывает [1] Mail.ru готовит «убийцу "Алисы"» в «лице» голосового помощника «Маруси» с умной колонкой [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
STMicroelectronics и Intel завершают создание совместного предприятия по производству памяти
