Компании Hynix Semiconductor и Grandis заключили лицензионное соглашение по использованию объектов интеллектуальной собственности Grandis в микросхемах памяти Hynix. В частности, соглашение касается [[технологии STT-RAM]] (spin-transfer torque random access memory).
Память на основе технологии STT-RAM – это энергонезависимая память нового поколения, которая по своим характеристикам значительно превосходит традиционные магниторезистивные ОЗУ (MRAM).
Она сочетает в себе все преимущества SRAM и DRAM. Микросхемы STT-RAM более экономичны, долговечны и имеют высокое быстродействие.
Еще одним преимуществом нового подхода является его применимость к интегральным схемам с проектными нормами менее 40 нм. Это позволит изготавливать дешевые схемы памяти с высокой степенью интеграции.