Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 июля
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Однодневный практический семинар по MSP430

Компания Texas Instruments объявила о проведении практических семинаров для разработчиков по применению семейства микроконтроллеров MSP430

Модернизация инфракрасных приемников серии TSOP3xx

Компания Vishay Intertechnology Inc провела модернизацию процесса производства инфракрасных приемников серии [[TSOP3xx]]

Z-Wave - интеллектуальная «домашняя» система управления потреблением электроэнергии

Компания Seluxit анонсировала «домашний» [[контроллер ViaSens]] на основе стандарта Z-Wave для оценки состояния бытовых приборов, подключенных к домашней управляющей сети

 

26 февраля

Достигнута рекордная эффективность солнечных элементов

Бельгийская исследовательская организация IMEC заявила о крупном успехе в повышении кпд преобразования GaAs-солнечных элементов на Ge-подложке, достигнув рекордного значения эффективности 24,7%. Солнечные элементы на основе GaAs используются в солнечных батареях спутников и наземных концентраторов солнечной энергии

С

олнечный элемент был изготовлен в рамках проекта ESA-IMAGER. Для этого проекта группа технологии материалов Umicore (Брюссель, Бельгия) производит Ge-подложки по улучшенной технологии.

Полученное значение эффективности солнечных элементов было подтверждено измерениями в лаборатории NREL (США).

Солнечные элементы были получены методом эпитаксиального выращивания на Ge-подложке с минимальным количеством микро-дефектов. Площадь солнечных элементов 0,25 см2. Значение эффективности 24,7% было достигнуто при фотоЭДС (Voc), равной 999 мВ, токе короткого замыкания (Jsc), равным 29,7 мА/см2 и коэффициенте заполнения 83.2%.

Исследователи утверждают, что улучшение эффективности GaAs-солнечных элементов с одним переходом, является главным достижением в разработке гибридных stacked triple-junction солнечных элементов. Данный тип солнечных элементов состоит из набора слоев из разных полупроводниковых материалов, подобранных таким образом, чтобы обеспечить поглощение солнечной энергии с максимальной эффективностью.

Среди возможных направлений развития солнечных элементов такого типа, IMEC сосредоточился на разработке структур, состоящих из верхних слоев на основе материалов группы III-V, а нижних – Ge. IMEC планирует достичь значения эффективности более 35% для солнечных элементов на основе таких структур.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты