Достигнута рекордная эффективность солнечных элементов


Бельгийская исследовательская организация IMEC заявила о крупном успехе в повышении кпд преобразования GaAs-солнечных элементов на Ge-подложке, достигнув рекордного значения эффективности 24,7%. Солнечные элементы на основе GaAs используются в солнечных батареях спутников и наземных концентраторов солнечной энергии

Солнечный элемент был изготовлен в рамках проекта ESA-IMAGER. Для этого проекта группа технологии материалов Umicore (Брюссель, Бельгия) производит Ge-подложки по улучшенной технологии.

Полученное значение эффективности солнечных элементов было подтверждено измерениями в лаборатории NREL (США).

Солнечные элементы были получены методом эпитаксиального выращивания на Ge-подложке с минимальным количеством микро-дефектов. Площадь солнечных элементов 0,25 см2. Значение эффективности 24,7% было достигнуто при фотоЭДС (Voc), равной 999 мВ, токе короткого замыкания (Jsc), равным 29,7 мА/см2 и коэффициенте заполнения 83.2%.

Исследователи утверждают, что улучшение эффективности GaAs-солнечных элементов с одним переходом, является главным достижением в разработке гибридных stacked triple-junction солнечных элементов. Данный тип солнечных элементов состоит из набора слоев из разных полупроводниковых материалов, подобранных таким образом, чтобы обеспечить поглощение солнечной энергии с максимальной эффективностью.

Среди возможных направлений развития солнечных элементов такого типа, IMEC сосредоточился на разработке структур, состоящих из верхних слоев на основе материалов группы III-V, а нижних – Ge. IMEC планирует достичь значения эффективности более 35% для солнечных элементов на основе таких структур.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *