NXP представляет сегодня новую серию малосигнальных (MOSFET транзистров размещенных в миниатюрном корпусе SOT883.
Благодаря своим ультрамалым размерам (всего 1×0.6 мм) MOSFET транзисторы компании NXP имеют показатели рассеиваемой мощности и быстродействия сравнимые с показателями транзисторов в корпусе SOT23, в то время как занимают только 14% их площади на печатной плате.
MOSFET транзисторы в корпусе SOT883 разработаны для широкого применения в приложениях, включая модули DC/DC-преобразователей, источники питания для жидкокристаллических телевизоров, переключатели нагрузки для мобильных телефонов и другой портативной техники.
Имея низкий профиль — 0.5 мм и лучшую в данном классе скорость переключения сигнала, а также очень низкое сопротивление открытого канала Rds(on), данная серия транзисторов позволяет производителям удовлетворять потребности заказчиков в более компактных и высокоэффективных решениях.
По словам Дина Монтано (Dean Montano), менеджера по маркетингу продукции компании NXP Semiconductors, «рыночный спрос на все более компактные портативные устройства с увеличенной емкостью аккумуляторов заставляет производителей интегрировать сложные функциональные решения в меньшие по размеру устройства».
Он также утверждает, что «созданные на проверенной бессвинцовой технологии изготовления плоских корпусов с четырёхсторонним расположением выводов (Quad Flat technology), транзисторы MOSFETs SOT883 компании NXP имеют эффективный и экологически чистый корпус, который все еще обеспечивает высокий уровень производительности, необходимый для работы современных сотовых телефонов и компьютерные приложения для мобильных устройств.
В дополнение к существенному уменьшению площади MOSFET, NXP создала безвыводные корпуса, что позволяет высвободить дополнительное место на печатной плате и улучшить тепловые характеристики. Сочетание превосходных показателей теплового сопротивления и сопротивления открытого канала Rds(on) менее чем 0.65 Ом при напряжении в 2.5 В, позволяет новым MOSFET выдерживать предельную нагрузку по току больше, чем это делают MOSFET размером 1×0.6 мм.
Транзисторы новой серии также демонстрируют лучшую в этом классе скорость переключения со временем включения 12-16 нс и временем выключения 17-24 нс.
NXP предлагает самое широкое портфолио полупроводников с безвыводными корпусами в электронной промышленности для различных рынков сбыта.