 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
Это интересно!Новости
Ранее«НИС» завершил создание системы мониторинга автотранспорта на базе ГЛОНАСС в организациях «АК «Транснефть»В декабре 2013 г. компания «НИС» завершила оснащение автопарка «АК «Транснефть» оборудованием ГЛОНАСС и контроля топлива. За период 2011–2013 гг. было оснащено более 17,5 тыс. транспортных средств и специальной техники в 36 дочерних обществах компании. Технополис «Москва» увеличил площадь производственных корпусовТехнополис «Москва» выкупил у автомобилестроительной компании «Автофрамос», принадлежащей французской Renault, последнюю часть основного производственного корпуса Технополиса, расположенного на части бывшей территории автозавода «Москвич». В ОАО «НИИМЭ и Микрон» назначен новый руководительГеннадий Красников назначен генеральным директором ОАО «НИИМЭ и Микрон». СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
20 января 2014 Samsung разработала первый в мире 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4Компания Samsung Electronics анонсировала первый в истории 8-Гбит чип DRAM-памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов.«
Новое поколение чипов памяти, поддерживающих интерфейс LPDDR4, вносит весомый вклад в развитие мирового рынка мобильной DRAM-памяти, так как вскоре стандарт LPDDR4 станет преобладающим, – говорит Ян-Хьюн Джун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент направления продаж и маркетинга компьютерной памяти Samsung Electronics. – Мы продолжим представлять самые продвинутые модули DRAM-памяти, которые на шаг опережают другие продукты, что позволяет производителям оборудования своевременно выпускать инновационные мобильные устройства для пользователей».
Новый 8-Гбит высокоскоростной чип DRAM-памяти LPDDR4 обеспечивает высокий уровень производительности и энергоэффективности, гарантируя быструю работу мобильных приложений, а также эффективное использование в мобильных устройствах экранов со сверхвысоким разрешением при одновременной минимизации энергопотребления. 8-Гбит чип LPDDR4 сделан по 20-нм техпроцессу и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. Благодаря четырем чипам по 8 Гбит, собранным в одном корпусе, производители мобильных устройств получают возможность установки сразу 4 ГБ оперативной памяти LPDDR4 одним модулем. Это позволит мобильным устройствам достичь новых высот производительности, не жертвуя при этом ни габаритами, ни энергопотреблением. Стоить отметить, что память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), впервые предложенный комитету JEDEC компанией Samsung и впоследствии ставший стандартом для памяти LPDDR4 DRAM. Основанный на новом интерфейсе чип LPDDR4 способен обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с на контакт, что в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм. К тому же, новый интерфейс потребляет на 40% меньше энергии при рабочем напряжении 1,1 В. С выпуском нового чипа Samsung сфокусируется на премиальном сегменте мобильного рынке, включающем смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей. Также чип будет применен в высокопроизводительных сетевых системах. Читайте также: Источник: пресс-релиз Комментарии0 / 0
0 / 0
|
 Комментарии читателейГорячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
