Samsung разработала первый в мире 8-Гбит чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4


Компания Samsung Electronics анонсировала первый в истории 8-Гбит чип DRAM-памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов.

«Новое поколение чипов памяти, поддерживающих интерфейс LPDDR4, вносит весомый вклад в развитие мирового рынка мобильной DRAM-памяти, так как вскоре стандарт LPDDR4 станет преобладающим, – говорит Ян-Хьюн Джун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент направления продаж и маркетинга компьютерной памяти Samsung Electronics. – Мы продолжим представлять самые продвинутые модули DRAM-памяти, которые на шаг опережают другие продукты, что позволяет производителям оборудования своевременно выпускать инновационные мобильные устройства для пользователей».

Новый 8-Гбит высокоскоростной чип DRAM-памяти LPDDR4 обеспечивает высокий уровень производительности и энергоэффективности, гарантируя быструю работу мобильных приложений, а также эффективное использование в мобильных устройствах экранов со сверхвысоким разрешением при одновременной минимизации энергопотребления.

8-Гбит чип LPDDR4 сделан по 20-нм техпроцессу и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. Благодаря четырем чипам по 8 Гбит, собранным в одном корпусе, производители мобильных устройств получают возможность установки сразу 4 ГБ оперативной памяти LPDDR4 одним модулем. Это позволит мобильным устройствам достичь новых высот производительности, не жертвуя при этом ни габаритами, ни энергопотреблением.

Стоить отметить, что память Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новый интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), впервые предложенный комитету JEDEC компанией Samsung и впоследствии ставший стандартом для памяти LPDDR4 DRAM. Основанный на новом интерфейсе чип LPDDR4 способен обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с на контакт, что в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм. К тому же, новый интерфейс потребляет на 40% меньше энергии при рабочем напряжении 1,1 В.

С выпуском нового чипа Samsung сфокусируется на премиальном сегменте мобильного рынке, включающем смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей. Также чип будет применен в высокопроизводительных сетевых системах.

Читайте также:
В 2014 г. основной продукцией на рынке памяти станет мобильная DRAM
Продажи мобильной DRAM в третьем квартале выросли на 14% до 3,3 млрд долл.
IHS: рынок DRAM приспосабливается к послекомпьютерной эре, прибыли поднялись до 11-квартального рекорда
Доля DRAM-памяти для сегмента ПК впервые за 30 лет стала меньше 50%
Цены на DRAM-память укрепляются по мере снижения складских запасов
История о том, как Micron осваивает новую DRAM-память
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND

Источник: пресс-релиз

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *