Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 3 декабря
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Российская GS Group выпускает «телеприставку» с новым микропроцессором собственного производства

Инвестиционно-промышленный холдинг GS Group представляет обновленную цифровую приставку GS B211 с новым микропроцессором собственного производства. Так же, как и предыдущая модель ряда – B210, – абонентское оборудование предназначено для программы трейд-ин, проводимой холдингом совместно с крупнейшим российским спутниковым оператором «Триколор ТВ» по замене старого парка оборудования на новое, поддерживающее формат HD.

Магнитоле «Эврика» 40 лет

40 лет назад в России, на АПЗ началось производство первой магнитолы на интегральных микросхемах

В ТУСУРе открывается научно-образовательный центр на базе решений Keysight Technologies

12–14 ноября 2014 г. компания Keysight Technologies приняла участие в X Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления», организованной Томским государственным университетом систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР).

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

3 декабря 2014

Toshiba начинает выпуск ИС с малым энергопотреблением для устройств связи Bluetooth Smart с функциями NFC Tag

Эти ИС сочетают два типа функций связи и предназначены для носимых медицинских устройств с малым энергопотреблением.

К

омпания Toshiba Electronics Europe (TEE) начала выпуск энергоэкономичных интегральных схем (ИС) с двумя функциями. Эти ИС поддерживают связь по протоколам Bluetooth Low Energy (LE) и NFC Type 3 Tag. ИС TC35670FTG предназначена для использования в устройствах Bluetooth Smart, например в датчиках, игрушках и особенно в сенсорных аксессуарах для смартфонов и портативных медицинских устройствах, применяемых в здравоохранении.

Новая ИС является комбинацией лучших ИС Toshiba с технологией Bluetooth LE и имеет две ключевые особенности: простое в использовании сопряжение Bluetooth с функцией NFC Tag и малое энергопотребление в режиме ожидания, что продлевает срок службы устройств с питанием от миниатюрных батарей. Максимальный ток, потребляемый устройством, равен 5,9 мА при связи через Bluetooth (при напряжении 3,3 В и при выходной мощности передатчика –4 дБм или при работе приемника) и не превышает 600 мкА при связи через NFC Tag (при напряжении 3,3 В). Кроме того, в режиме глубокого сна потребляемый микросхемой ток не превышает 1 мкА (при напряжении 3,3 В).

Ранее при проектировании систем, поддерживающих функции связи и через Bluetooth, и через NFC Tag, приходилось использовать отдельные ИС для каждого протокола. Благодаря новому подходу компании Toshiba можно свести к минимуму число компонентов, уменьшить примерно на 30% площадь монтажа и сократить сроки разработки систем.

Функция NFC Tag облегчает сопряжение устройств Bluetooth LE, а также предоставляет удобную функцию включения и выключения, позволяющую снизить энергопотребление в режиме ожидания и тем самым продлить срок службы батарей. Кроме того, функции Bluetooth LE и NFC Tag можно перевести в режим ожидания и сделать приоритетной связь через функцию, вызванную первой. 

Приемник компонента Bluetooth имеет чувствительность –92,5 дБм, а выходная мощность передатчика варьируется в пределах от 0 до –20 дБм (с шагом 4 дБм). Он поддерживает общий профиль атрибутов (GATT, Generic Attribute Profile), включая и функции клиента, и функции сервера. Кроме того, он поддерживает как хост-системы, так и автономные, содержит преобразователь напряжения постоянного тока, стабилизатор с малым падением напряжения, АЦП общего назначения, функцию пользовательских программ, цепь формирования сигнала пробуждения хост-устройства и функцию ШИМ.

Компания TEE также предлагает различные стандартные профили Bluetooth LE, которые можно использовать в прикладном программировании.

Компонент NFC Tag оснащен энергонезависимой памятью E2PROM объемом 1,5 Кбайт для хранения данных, доступ к интерфейсу I2C которого можно получить и через Bluetooth LE, и через NFC Tag, что упрощает работу с данными в любой системе.

ИС поставляется в корпусе QFN40 с габаритами 6 x 6 мм и шагом между выводами 0,5 мм и может работать в диапазоне температур от –30 °C до +85 °C. Стартовые наборы и пакеты для развертывания программного обеспечения будут доступны в этом месяце.

Читайте также:
Toshiba займется производством памяти ReRAM лишь в 2020 году
Toshiba собирается освоить выпуск процессоров на «туннельных» транзисторах к 2017 году
Toshiba создаст микрокомпьютеры со сверхмалым энергопотреблением к 2017 году
Toshiba создала память XLL SRAM со сверхмалыми токами утечки
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
Toshiba и TSMC сообщают о разработке многоуровневых ячеек памяти ROM
Toshiba становится самым важным игроком среди производителей кремниевых LED-подложек
Toshiba поглотила компанию OCZ Technology
Toshiba переходит на 19-нм флеш-память второго поколения
Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм

Источник: пресс-релиз

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 
 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2016 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты