Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 26 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Государство ищет инвестора для строительства 65-45 нм завода

Проект по созданию в России производства микрочипов по технологии 65-45 нм снова активизировался в связи с 27-процентным ростом мирового рынка микроэлектроники в 2010 году. Всего на создание подобного производства предполагается потратить 58 млрд руб.

Вышел из печати второй номер журнала Современная светотехника за 2011 год

В новом номере продолжена публикация таблиц с перечнем производителей и дистрибьюторов светотехнической продукции. В этом выпуске вниманию читателей представлен сектор силовой электроники.

«Энвижн Груп» разработала и внедрила суперкомпьютер в «Саровском Инженерном Центре»

Решение разработано совместно с IBM на основе IBM eServer Clustere1350

 

29 апреля

Минэкономразвития РФ одобрило проект Nokia Siemens по выпуску базовых станций LTE в Томске

Экспертный совет по особым экономическим зонам (ОЭЗ) технико-внедренческого типа при Минэкономразвития РФ в четверг одобрил проект Nokia Siemens Networks (NSN) по производству базовых станций для сетей мобильной связи четвертого поколения по технологии Long Term Evolution (LTE) в томской ОЭЗ.

П

о информации пресс-службы, новый проект направлен на разработку и производство не только базовых станций LTE, но и транспортных систем беспроводной и волоконно-оптической связи. К таким системам относятся радиорелейные станции миллиметрового диапазона длин волн и оптические системы спектрального уплотнения (DWDM).

«Таким образом, в рамках единого производства будет сформирован комплексный продукт, позволяющий решать задачи строительства современных сетей доступа в связке с эффективным транспортным оборудованием», - отмечается в пресс-релизе. Для реализации проекта томский партнер NSN - научно-производственная фирма «Микран» - построит собственный корпус на Южной площадке ОЭЗ.

Как сообщалось, в марте Nokia Siemens Networks, ОАО «Роснано», «Микран» и администрация Томской области подписали соглашение о намерении запуска производства базовых станций LTE.

«Это первый проект по производству (базовых станций - ИФ) LTE в России. Мы хотим построить конкурентоспособное предприятие, которое сможет производить продукцию на экспорт. Первоначальный объем выпуска составит около 10 тыс. станций в год, в дальнейшем планируем выйти на производство до 100 тыс. станций в год», - отмечала ранее генеральный директор Nokia Siemens Networks в России Кристина Тихонова.

Она не уточнила стоимость создания производства в Томске, однако заметила, что подобный проект в Западной Европе обходится в $50 млн.

«Микран» рассчитывает, что опытная партия продукции будет выпущена в четвертом квартале 2011 года, а на производство 10 тыс. станций в год компания сможет выйти в 2012 году.

Скорость передачи данных по технологии LTE достигает 326 Мбит/с на прием и 172 Мбит/с на отдачу. Радиус действия базовой станции может достигать 30 км.

НПФ «Микран» специализируется на разработке и производстве телекоммуникационной аппаратуры, производстве модулей и узлов СВЧ-диапазона, производстве контрольно-измерительных приборов СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, производстве монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона, производстве радиолокационного оборудования.

Томская ОЭЗ технико-внедренческого типа создана в Томске в декабре 2005 года и специализируется на трех направлениях: IT и электроника, медицина и биотехнологии, новые материалы и нанотехнологии. Томская ОЭЗ состоит из двух площадок - Северной и Южной - общей площадью около 300 га.

Оцените материал:

Источник: Интерфакс

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты