Компания 4DS, специализирующаяся на разработке памяти RRAM, присоединилась к инициативе консорциума Sematech по созданию энергонезависимой памяти нового типа. 4DS планирует создать рабочий прототип малопотребляющего RRAM-устройства на основе материалов и структур собственной разработки.
4DS – частная американская корпорация и дочерняя компания австралийской фирмы 4D-S Pty. Появившись в 2009 г., 4DS заявила о серьезном прорыве в области разработки технологии RRAM (resistive random access memory – резистивная память с произвольным доступом).
FeRAM, MRAM, память с изменяемым фазовым состоянием и RRAM относятся к технологиям следующего поколения. Энергонезависимая память RRAM привлекательна тем, что может считаться заменой флэш-памяти благодаря высокой скорости, малой потребляемой мощности и масштабированию. Одним из препятствий на пути реализации RRAM является создание устойчивого элемента памяти. В гонке за схемотехническим решением была упущена необходимость в создании надежных материалов и методов осаждения для производства недорогих устройств.
Принцип действия RRAM основан на использовании двух устойчивых состояний диэлектрика: с высоким и низким сопротивлением, переключение между которыми осуществляется путем приложения внешнего напряжения. RRAM представляет интерес за счет таких характеристик, превосходящих параметры флэш-памяти, как масштабируемость и потенциально малый размер ячейки. RRAM рассматривается как возможный кандидат на замену стандартной флэш-памяти на технологической норме 22 нм и ниже.
Платформа 4DS для энергонезависимой памяти обеспечивает низкотемпературный КМОП-совместимый процесс BEOL (back end of line – второй этап изготовления ИС, в котором отдельные устройства (транзисторы, конденсаторы, резисторы и т.д.) соединяются в одну схему на кремниевой пластине). Эта платформа характеризуется меньшим энергопотреблением и большей скоростью записи, чем стандартная флэш-память. Другие подробности пока не сообщаются.
Разработкой RRAM заняты и другие компании. Например, Adesto Technologies Corp. – стартап, основанный Applied Materials и другими компаниями, подготавливает первое запоминающее устройство – CBRAM (conductive-bridging RAM – память с проводящим мостом).
Стремясь коммерциализировать технологию мемристоров, компания Hewlett-Parkard в прошлом году заключила соглашение о совместной разработке этих устройств с южнокорейской компанией Hynix Semiconductor. Обе компании будут разрабатывать новые материалы и технологию интеграции для создания запоминающих устройств типа RRAM.
С целью исследования ограничений на масштабирование стандартных ячеек флэш-памяти Европейский институт IMEC недавно занялся изучением ячеек RRAM. Четыре ведущих производителя памяти – Samsung, Hynix, Elpida и Micron Technology – участвуют в совместной исследовательской программе IMEC.
Источник: EETimes