Micron выигрывает в результате закрытия Innovative Silicon


Компания Innovative Silicon, образованная в 2002 г. и разработавшая ячейку памяти Z-RAM на основе единственного транзистора с эффектом плавающего заряда (floating-body cell, FBC), прекращает свое существование.

Майкл Ван Бускирк (Michael Van Buskirk), директор по производству Innovative Silicon, не сообщил, кто приобрел активы компании, но есть все основания считать, что одним из основных покупателей стала компания Micron Technology.

Innovative Silicon, частная фирма с венчурным капиталом, была учреждена в 2002 г. Пьером Фазаном (Pierre Fazan) и Сергеем Охониным.

Фазан, бывший технический директор и председатель правления Innovative Silicon, ныне работает менеджером по проектированию в компании Micron. Охонин, бывший главный научный сотрудник Innovative Silicon, стал учредителем компании ActLight Inc.

Технология памяти Z-RAM основана на использовании более дорогостоящих подложек КнИ (silicon-on-insulator – кремний на изоляторе), чем объемные КМОП-пластины. Кроме того, Z-RAM еще не получила широкого применения в индустрии.

Компания Innovative Silicon разработала низковольтную ячейку памяти DRAM на основе эффекта плавающего напряжения на затворе транзистора. По словам Вана Бускирка, изначально технология Z-RAM не была масштабируемой и не обеспечивала высокую надежность.

В 2009 г. компании Innovative Silicon и Hynix Semiconductor Inc. представили результаты совместной разработки технологии объемной памяти Z-RAM на симпозиуме VLSI Technology Symposium, а в 2010 г. эти компании выступили на том же мероприятии с докладом о ячейке памяти Z-RAM с использованием эффекта плавающего напряжения на вертикальном двойном затворе транзистора.

Неизвестно, какая из двух компаний – Micron или Hynix – продолжит работу по совершенствованию этой технологии.

Источник: EETimes

Компания Innovative Silicon получила 47 млн долл. в качестве венчурного капитала. Похоже, что права на ее патенты перешли компании Micron.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *