На симпозиуме VLSI Circuits and Technologies корпорация NEC и Университет Тохоку представили два исследования о применении магнитного энергонезависимого ОЗУ с ассоциативной памятью (САМ).
Перемещение доменной границы в ячейке (Источник: NEC, Tohoku University) |
Первый доклад посвящен описанию работы энергонезависимой памяти на основе движения доменной стенки магнитного ОЗУ. Во втором докладе рассматривается энергоэффективная форма памяти TCAM.
Тип памяти spin-CAM основан на использовании вертикального намагничивания за счет движения доменных границ в активном кобальтоникелевом слое для обеспечения энергонезависимого хранения данных CAM.
Исследователи создали 16-Кбит кристалл Spin-CAM по норме 90 нм с временем поиска 5 нс и ячейку памяти размером 6,6 кв.мкм. Использование нового типа памяти CAM позволит разрабатывать электронные системы с мгновенным запуском и нулевым потреблением в режиме ожидания. Ток во время операции записи такой 90-нм памяти составляет 200 мкА.
Подобные цепи создавались и прежде, но их параметры были хуже, чем у традиционных CAM. Для того чтобы эта память была энергонезависимой, а также обеспечивала высокую скорость операций с данными, к каждой ячейке подключаются два дополнительных спинтронных устройства. Кроме того, для разделения токов во время операций чтения и записи используются устройства с тремя выводами.
В настоящее время эта группа исследователей работает над тем, чтобы доменная стенка передвигалась при меньшем значении тока в 50 мкА, протекающего по активному слою из кобальта-железа-бора.
Источник: EETimes