Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 24 июня
 
 

Это интересно!

Новости

Россияне создали «первый в мире» телефон, не требующий АТС и серверов


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Начинающая компания заявила об альтернативе NFC

Компания Naratte разработала метод отправки информации с помощью ультразвука. Данная технология представляет собой альтернативу NFC, т.к. может использоваться в системах мобильных платежей.

Globalfoundries назначает ВРИО президента

Компания Globalfoundries и ее мажоритарный акционер Advanced Technology Investment Co. (ATIC) заявили о назначении Ажита Маноха (Ajit Manocha) ВРИО президента.

Microsoft, Nokia, Samsung присоединяются к радиоклубу Neul

Microsoft, Nokia и Samsung – среди 11-ти компаний, которые соберутся на одном из мероприятий консорциума White Spaces Consortium, организованном компанией Neul.

 

21 июня

Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии

Бельгийский микро- и наноэлектронный научный центр провел сравнение одной планарной и двух FinFET-технологий, чтобы выяснить возможности их масштабирования и зависимость от колебаний параметров процесса.

Т

естируемыми цепями были 6-транзисторные ячейки и массивы SRAM. Сотрудники IMEC пришли к выводу, что технология FinFET превосходит планарную КМОП-технологию по выходу годных SRAM.

Обе технологии – FinFET on bulk и FinFET on silicon-on-insulator (SOIFF) оказались совершеннее, чем планарная технология для массивов SRAM среднего и крупного размеров, о чем свидетельствует выход годных. При этом IMEC не сообщил, на каких технологических нормах были проведены эти тесты. Вполне вероятно, это были 28 и 22 нм.

По мере того как размеры устройств уменьшаются, вариации электрических параметров КМОП-транзисторов увеличиваются. Это явление обусловлено случайными флуктуациями плотности примесей в канале, стоке и истоке. В результате два близко расположенных идентичных транзистора могут вести себя по-разному. Такое поведение делает проектирование ячеек SRAM-памяти менее предсказуемым и контролируемым при переходе на новый технологический узел.

На нормах ниже 22 нм изготовление 6-транзисторной планарной SRAM-памяти осложняется. При этом у FinFET-устройств меньше токи утечки и вариативность, что позволяет проектировать более компактные ячейки.

Обе FinFET-технологии оказались совершеннее планарной для SRAM-массивов, объем которых превышал 128 Кбайт. Они менее чувствительны к несоответствиям параметров, что позволяет смело выполнять масштабирование источника питания и устанавливать меньшее VCC, чем у планарных массивов. У нелегированных SOIFF-транзисторов питание ниже на 200 мВ по сравнению с планарной технологией. Выход готовых нелегированных SOIFF-транзисторов составил 95% для 0,7-В 32-Мбит SRAM-массивов.

Источник: EETimes
Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты