Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 25 августа
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Акции SMIC перестали торговаться

Акции китайского производителя кристаллов Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) перестали торговаться по просьбе этой компании 30-го июня, после того как появилось сообщение о смерти председателя правления SMIC, а ее президент и главный исполнительный директор не был переизбран в совет директоров.

Samsung обращается в ITC с иском против Apple

Южнокорейская компания Samsung Electronics обратилась с иском в Комиссию по международной торговле США (ITC) с требованием расследовать предполагаемое нарушение патентных прав компанией Apple и наложить запрет на ввоз продукции Apple в США.

Lawrence Livermore National Lab открывает двери суперкомпьютерам

Лаборатория Lawrence Livermore National Lab открыла новый центр по высокопроизводительным вычислениям.

 

6 июля

TSMC может опередить Intel в производстве 3D-кристаллов

Такой фаундри-гигант как TSMC уже к концу 2011 г. сможет осуществить первые поставки полупроводников, изготовленных по технологии трехмерной компоновки, опередив, таким образом, компанию Intel.

В

сообщении организации Taiwan External Trade Development Council (TAITRA) указывается, что в поставках объемных полупроводников TSMC не уступает крупнейшему производителю кристаллов – Intel, который заявил в мае текущего года о начале серийного производства 3D-чипов с использованием трехзатворных транзисторов.

Хотя в сообщении TAITRA компании TSMC и Intel выглядят конкурентами в производстве объемных кристаллов, используемые ими технологии различны. TSMC совместно с другими компаниями разработала технологию объемного межсоединения под названием TSV (through silicon vias). В этом методе вертикальные соединения проходят сквозь кристалл, соединяя разные его уровни в пределах одного корпуса. Трехзатворная технология Intel основана на использовании трехмерных транзисторов, или т.н. FinFET-транзисторов, т.к. полупроводниковый канал по форме напоминает ребро (fin), выступающее из подложки.

Ожидается, что объемная технология позволит повысить плотность транзисторов в отдельно взятом кристалле в 1000 раз. Устройства на базе таких кристаллов будут потреблять на 50% меньше энергии, чем нынешние полупроводниковые изделия. Предполагается также, что новая технология позволит решить ряд проблем, связанных с применением «планарных» транзисторов.

TAITRA сообщает, что TSMC тесно сотрудничала с рядом сборщиков полупроводников и поставщиков программного обеспечения, чтобы коммерциализировать технологию изготовления объемных кристаллов.

Источник: EETimes

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты