Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 18 июля
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Samsung передает в производство 20-нм кристалл ARM

Samsung Electronics заявила о том, что на ее фабрике было завершено тестирование ARM-процессора для производства 20-нм кристаллов по технологии high-K metal-gate.

Thunderbolt: много шума, мало искр

Недавно появившийся интерфейс Thunderbolt обеспечивает два канала передачи данных в обоих направлениях на скорости 10 Гбит/с, которая более чем на порядок превышает показатели USB 2.0. В будущем этот разрыв увеличится еще больше, когда наряду с медным кабелем в Thunderbolt появится оптический канал связи. Но это произойдет не скоро.

Новые бизнес-модели для старой полупроводниковой отрасли

Полупроводниковой индустрии уже 53 года, ее доля в мировом ВВП, составляющая 0,6%, вырастет в ближайшие годы, – считает Тьен Ву (Tien Wu), директор по производству компании ASE и основной докладчик на торговой выставке производственного оборудования Semicon West 2011.

 

14 июля

Toshiba и Hynix сотрудничают в разработке MRAM

Hynix и Toshiba станут сотрудничать в разработке и производстве памяти MRAM, чтобы ускорить коммерциализацию этой технологии.

Д

ве эти компании расширили кросс-лицензионные соглашения и соглашения о поставках продукции отнросительно MRAM с переносом спинового момента. Хотя этот вид магнитной памяти с произвольным доступом совершенствуется уже 20 лет, технология переноса спинового момента – относительно новое направление.

Интерес к MRAM, который испытывают компании к MRAM в течение многих лет, основан на универсальных возможностях этой памяти. Среди тех, кто пытался ее разработать, были компании IBM, Infineon, Honeywell, NEC, Cypress, Motorola/Freescale (из отдела MRAM которых образовалась компания Everspin Technologies), Sony, Hitachi, Renesas, Samsung, Micron и Crocus.

Infineon произвела 16-Мбит опытный образец MRAM в 2004 г. Honeywell выпустила на рынок 1-Мбит запоминающее устройство в 2005 г.; Toshiba и NEC представили демо-образец 16-бит устройства в 2006 г.; Freescale поставляла 4-Мбит MRAM по цене 25 долл. за 1 шт. в 2006 г.; Hitachi и Toshiba продемонстрировали 32-Мбит устройство в 2009 г., а в следующем году – MRAM с многоуровневыми ячейками.

Однако MRAM не в состоянии угнаться за флэш-памятью NAND, максимальный объем которой достиг 64 Мбит.

По словам О Чул Квона, главы Hynix, MRAM характеризуется очень привлекательными параметрами, к числу которых относятся высокая скорость, низкое потребление и большая емкость. Вполне возможно, что она с успехом станет применяться в новых поколениях смартфонов. MRAM – следующая платформа, которая обеспечит рост Hynix.

Киеши Кобаячи, глава Toshiba, считает MRAM важной технологией запоминающих устройств следующего поколения и надеется, что у MRAM – большой потенциал масштабирования энергонезависимой памяти. При этом Hynix в партнерстве с Toshiba будет заниматься оптимизацией производственного процесса и стоимости. Основным рынком MRAM глава Toshiba видит рынок мобильных устройств.

Сотрудничество между Toshiba и Hynix направлено на то, чтобы снизить риск разработки и ускорить коммерциализацию MRAM.

Для хранения данных в MRAM используются магнитные свойства материалов. В отличие от DRAM, в которой состояния 0 и 1 устанавливаются в отсутствие и при прохождении зарядов через конденсаторы ячеек, данные в MRAM определяются с помощью эффекта туннельного магнитосопротивления, вследствие которого электрическое сопротивление ячейки изменяется в зависимости от взаимной ориентации намагниченностей в слоях.

Данные в MRAM записываются на основе давно известного метода с использованием магнитных сердечников.

Источник: electronicsweekly.com

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты