 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости
РанееCadence покидает ключевая персонаВнезапное увольнение директора по маркетингу компании Cadence Design Systems произошло в результате реорганизации отдела маркетинга, что, по мнению аналитиков, может сигнализировать о грядущей смене президента этого поставщика САПР. Президент Mentor Graphics опасается переизбытка мощностейПо прогнозам IHS iSuppli, в 2011 г. рынок полупроводников вырастет на 7,2%, однако Уолден Райнс (Walden Rhines), председатель совета директоров и президент Mentor Graphics, опасается того, что эти темпы роста сохранятся и в 2012 г. Операционная прибыль Apple больше, чем у других производителейХотя доля Apple на мировом рынке сотовых телефонов составляет лишь 5,4%, ее операционная прибыль оказалась во II кв. выше показателей всех производителей мобильных телефонов – 57%. Это на 51% больше аналогичного показателя I кв. и на 41% – прошлогоднего уровня. |
4 августа Samsung приобретает Grandis – разработчика MRAMЮжнокорейская компания Samsung Electronics Co. заявила о приобретении Grandis – поставщика запоминающих устройств на основе памяти STT-RAM. Финансовые условия сделки не разглашаются.
Grandis войдет в подразделение Samsung, занимающееся исследованиями и разработкой памяти следующего поколения на основе новых полупроводниковых материалов и структур. Grandis была основана в 2002 г. Ее специализацией стала разработка памяти SST-RAM (spin-transfer torque random access memory – ОЗУ с переносом спинового момента), которая сочетает ценовые преимущества DRAM, быстроту чтения и записи SRAM и энергонезависимость флэш-памяти. SST-RAM должна решить главные недостатки магниторезистивной памяти MRAM первого поколения. В общей сложности Grandis получила 15 млн долл. от нескольких инвесторов, в т.ч. Applied Ventures, Sevin Rosen Funds, Matrix Partners, Incubic и Concept Ventures. В июне прошлого года Grandis пересмотрела стратегический план выпуска продукции, заменив в нем DRAM и, в конце концов, NAND, памятью MRAM следующего поколения. SST-RAM представляет собой технологию MRAM второго поколения, которая должна решить проблемы стандартных MRAM-структур. В большинстве разрабатываемых в настоящее время MRAM-устройств данные записываются с помощью магнитных элементов из двух ферромагнитных слоев. Один из слоев представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определенном направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля. Скорость операций таких устройств высокая, но они потребляют много энергии. В течение многих лет разработчики MRAM и технологий памяти следующего поколения пытаются создать универсальные запоминающие устройства, которые придут на смену нынешним ЗУ. Однако этого до сих пор не удалось сделать, и в настоящее время применяется масштабируемая DRAM- и NAND-память. Источник: EETimes.com Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателейHuawei начала производство 5-нанометровых процессоров [1] Ирландцы прижучили Apple, Samsung и LG Display после двух лет уговоров [1] Авторы закона о "суверенном Интернете" предлагают обязать идентифицировать всех пользователей e-mail [1] «Феникс Контакт РУС» и «Сколково» заключили партнерское соглашение в области энергоэффективности [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
