Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 25 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Телефоны с Android заняли 48% рынка смартфонов

Поставки на мировом рынке смартфонов во II кв. текущего года составили 107,7 млн шт. – на 73% больше по сравнению с тем же кварталом 2010 г., – считают аналитики Canalys Ltd.

Президент LSI Тэлуокер может стать главой AMD

По мнению экспертов, Аби Тэлуокер имеет все шансы возглавить эту компанию.

Президент IBM: как дожить до 100 лет

В праздничной речи, посвященной столетнему юбилею IBM, президент этой компании Сэм Палмизано (Sam Palmisano), сказал, что для долгой жизни нужно уметь создавать ценности, сотрудничать и меняться.

 

10 августа

Технология 3D поможет Intel в конкурентной борьбе с ARM

Новая технология Intel «тройной затвор» позволит этой компании побороть ARM и ее лицензиатов на рынке ПК, – считают аналитики IHS iSuppli. Кроме того, эта энергосберегающая технология обеспечит Intel необходимым оружием для завоевания рынков планшетных компьютеров и смартфонов.

В

начале мая текущего года Intel заявила о создании новой транзисторной технологии под названием Tri-Gate, которая заметно отличается от «планарной», до сих применяемой в устройствах, трехмерной структурой. Трехзатворные транзисторы появятся в процессорах Ivy Bridge – 22-нм версии нынешней микроархитектуры Sandy Bridge.

Трехзатворная технология позволяет увеличить быстродействие процессоров Ivy Bridge на 37%, а также снизить ток утечки, уменьшить энергопотребление на 50% и размеры устройств по сравнению с 32-нм процессорами (см. рис. ниже).

2D-транзисторы (слева) и объемные трехзатворные транзисторы (справа). Источник: Intel


По мнению многих аналитиков, даже несмотря на такие преимущества трехзатворной технологии процессоры х86 Intel не смогут завоевать рынок мобильных устройств. Согласно прогнозу IDC, к 2015 г. в более чем 13% процессоров для ПК будут использоваться ARM-ядра.

Однако в заявлении IHS iSuppli сказано, что трехзатворная технология позволит остановить проникновение ARM-устройств в персональные компьютеры и выйти Intel на рынок планшетных компьютеров и смартфонов.

Концепция объемной структуры не нова для производства полупроводников – подобный метод уже несколько лет осваивают TSMC и IBM. В то же время технология Tri-Gate компании Intel уже готова для серийного производства, и это серьезное преимущество Intel перед конкурентами в ближайшие два-три года.

Аналитики IHS iSuppli отмечают, что технологию Tri-Gate можно использовать и в техпроцессах на нормах ниже 20 нм, когда это позволят литографические средства, что сулит дальнейшее снижение энергопотребление и стоимости. Кроме того, стоимость производства с применением трехзатворной технологии лишь на 2–3% выше по сравнению со стандартной планарной технологией.

Переход на 3D-технологию позволит Intel производить транзисторы с тройным затвором на сверхтонком слое полностью обедненного кремния, не используя структуры «кремний на изоляторе» (SOI). В результате отпадает необходимость в специальных SOI-пластинах, чья стоимость превышает стоимость стандартных пластин.

Аналитики IHS iSuppli не комментируют слухи о том, что Intel может приобрести технологию ARM или попытаться стать фаундри у Apple для производства ARM-кристаллов. По всей видимости, IHS iSuppli считает, что Intel удастся отстоять себя, не идя на такие крайние меры.

Технология объемных транзисторов будет применяться в будущих процессорах Atom и СнК, за счет чего потребление этих устройств в режиме ожидания уменьшится до 1 мВ и ниже.

Источник: windowsfordevices.com

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты