Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 15 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Президент TSMC понизил прогноз темпов роста полупроводникового рынка в 2012 г.

Моррис Чанг (Morris Chang), президент и председатель совета директоров Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., скорректировал собственный прогноз темпов роста мирового рынка полупроводников в 2012 г. до 2%. Три месяца назад он считал, что этот показатель составит 3–5%.

Windows на ARM не получит ожидаемого успеха

Возможно, одним из самых значительных событий на мероприятии CES 2012 стал анонс исходного проекта Intel для смартфонов и последовавшая сделка о дистрибуции в Китае устройств с установленными на них процессорами Atom. Однако вопрос о том, насколько эти смартфоны будут популярны у потребителей, остается открытым.

Рекордные инвестиции Samsung

Samsung заявила о том, что намеревается вложить в 2012 г. в собственное развитие 47,8 трлн вон (41,7 млрд долл.) и нанять 26 тыс. новых работников, в первую очередь, в странах Европы.

 

19 января 2012

Теория мемристора несостоятельна?

Блейз Мутте (Blaise Mouttet), аспирант Университета Джорджа Мейсона, опубликовал теоретическую работу, в которой указывается множество динамических систем, выходящих за понятие т.н. мемристора – двухполюсника с нелинейной ВАХ и гистерезисом.

Е

го доклад начинается с утверждения об ошибочности предположения Леона Чуа (Leon Chua), создателя теории мемристора, о том, что все кривые гистерезиса определяют мемристоры.

Мутте оспаривает представление о том, что мемристор является четвертым фундаментальным элементом цепи после резистора, конденсатора и индуктивности. Аспирант утверждает, что устройство, которое разрабатывается в лабораториях компании HP, нельзя классифицировать как мемристор, т.к. оно относится к более широкому классу систем с переменным сопротивлением.

Теория мемристора была сформулирована профессором Леоном Чуа, который определил фундаментальный нелинейный элемент цепи с помощью теории электромагнетизма. Компания Hewlett Packard с 2008 г. пытается на основе мемристора создать технологию резистивной памяти RAM металло-оксидного типа.

В 2010 г. Мутте уже выступил с докладом на симпозиуме ISCAS (International Symposium on Circuits and Systems), в котором оспаривалось название того элемента, на основе которого инженеры HP Labs разрабатывают технологию RAM, а также утверждалось, что Samsung, а не HP, является собственником патента на резистивную память на основе оксида титана (патент США 7,417,271).

Некоторые исследователи поддержали позицию Мутте, заявив, что попытка определить любой двухполюсник, в котором сопротивление меняется в зависимости от величины протекающего тока, как мемристор, не позволяет объяснить существование разных типов устройств.

К этим типам устройств относятся резистивная память RAM (RRAM, или ReRAM), память с изменением фазового состояния (PCM), или PCRAM, память с проводящим мостом (conductive-bridging RAM, CBRAM), а также сегнетоэлектрическая RAM (FRAM).

Источник: EETimes

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты